一、生产过程中真空灭弧室零件的预除气和储存（论文文献综述）
冯丽媛[1]（2020）在《CT球管排气台控制系统研究与设计》文中研究指明计算机断层扫描（Computed Tomography,CT）球管是计算机断层扫描设备中的X射线源,管内真空度直接影响了球管的性能和使用寿命,而对球管进行排气是提高管内真空度的重要步骤。目前国内大部分CT球管生产厂家采用的排气设备较为落后,许多关键工序需要工人手动完成,产品质量受人为因素影响较大,产品性能的一致性和稳定性难以得到保证。本文从CT球管实际排气加工情况出发,以电真空管排气控制系统的研究成果为基础,采用“工控机+可编程逻辑控制器（Programmable Logic Controller,PLC）”的控制方案,搭建电控柜,设计了CT球管排气台的控制系统。系统采用PLC实现对底层设备的控制,上位机提供友好的操作界面,实现对排气流程的控制以及排气参数的设置与调节,记录排气过程中的状态参数。运行结果表明:通过上位机界面,用户能够对排气流程进行控制,同时监测真空度、灯丝电流等状态参数以及主要设备的工作状态,了解排气流程的进展。此外,用户还可以方便地修改排气步骤和工艺参数,对不同的CT球管进行排气,实现了排气流程的全自动化,提高了系统的通用性与灵活性。
王学孟[2]（2017）在《H公司中压车间生产流程优化研究》文中指出本论文结合精益改善理论和系统性的改善方法,针对H公司中压车间生产流程中的具体问题进行了优化研究,重点关注对生产流程中不增值工序的降低甚至是彻底消除;通过对生产过程优化、推行柔性生产模式、流程再造、如何优化生产成本、优化设备管理等方面进行综合研究和阐述,本研究将对H公司中压产品生产流程优化有很强的指导意义。在本文中简要的介绍了精益生产在国内外的发展的状况及相关精益生产工具在行业内的应用;介绍了H公司中压产品的情况以及中压产品生产流程、生产工序要点等;并使用价值流图对企业目前的生产流程现状进行了全面的展示和分析,同时结合了相应的精益分析方法,使用了相应的改善工具进行了系统性的讨论;通过对数据和流程图的分析,确立改善重点和改善方法;并且通过对现有部分流程再优化,消除瓶颈工位提升生产的柔性,降低交货周期。本文针对生产流程中的计划流程进行了改善、导致流程出现瓶颈的设备进行了全员保全和快速换模改善、生产工序进行了再平衡和推行人机联合等方法进行了重点分析和改进;最终使生产流程更加顺畅达到提升缩短交货周期,降低生产成本目的。
令晓明[3]（2015）在《汽车灯具复合镀膜工艺关键技术及控制方法研究》文中指出车灯表面镀膜是汽车灯具制造流程中最重要的环节之一。论文结合国内外车灯相关标准和技术市场的分布情况,讨论了这一领域面临的理论研究和工业化应用存在的问题,针对高档汽车灯具复合镀膜工艺与装备的共性关键工艺技术展开相关研究工作。论文从高档车灯表面复合膜系结构及其功能需求出发,对几种PVD和CVD真空镀膜技术的工艺技术特点进行对比分析,提出了实现车灯复合镀膜的工艺技术路线;并对自主研发完成的大型车灯镀膜装备及其各部分组成系统进行了介绍。根据薄膜沉积均匀性分布理论和影响镀膜均匀性相关因素,从车灯镀膜蒸发源结构、有效镀膜区域、工件运动方式和真空室体均匀配气等方面,提出了改善薄膜沉积均匀性技术措施和实现方法;通过同步跟踪镀膜试验,分析了不均匀性存在原因和工业化生产中提高薄膜均匀性应该采取的措施。通过测试,制备的薄膜均匀性满足车灯光学性能要求,在复杂曲面结构车灯表面制备的薄膜达到了高档汽车灯具的性能要求。通过讨论车灯镀膜前底层流平工艺及其带来的附着力问题,针对传统前处理工艺存在的问题和不足,根据气体放电理论,研究提出了在大型车灯镀膜装备中建立不同模型的高压轰击电场实现在线离子轰击清洗的工艺方案。通过对不同功率条件下的轰击效果分析表明,适当的离子轰击对薄膜附着力具有显着的改善作用,经过定性测试达到了车灯附着力要求。根据反射镜、配光镜等部件对光学性能和环境耐久性的要求,从金属薄膜材料和光学保护膜材料的物理特性分析出发,研究讨论了大功率热蒸发、大平面磁控溅射和轰击聚合工艺制备高反射铝膜及光学保护膜的关键工艺技术;采用车灯检测标准测试了样品的反射率和耐蚀性等性能指标,实现了良好的工艺效果。结合参与自主研发的大型车灯镀膜设备,提出了采用工业控制计算机和可编程控制为核心的计算机控制系统及工作流程控制方案,研究分析了真空获得过程及复合镀膜工艺过程的负载特性,通过工业化试验和应用分析,实现了对各工艺过程的优化控制效果。最后对论文的主要研究工作和取得的成果进行了总结,对相关领域可进一步深入研究的工作进行了展望。
吕中明[4]（2010）在《真空灭弧室绝缘水平的分析与探讨》文中认为真空开关以其优越的性能在输变电网中压领域得到了广泛的应用,而随着电力系统的不断发展、系统容量的不断提高,真空开关正向着大容量、小型化、高可靠、高绝缘的研究方向发展。然而,作为真空开关的心脏部件,真空灭弧室的绝缘水平远远满足不了真空开关的发展需求,限制了真空开关在更高电压领域的应用,加之在应用中的可靠性问题,使真空灭弧室的绝缘水平成为关键课题,解决这一问题,才能充分发挥真空开关分断能力强的优势,才能进一步占领电力系统的应用领域。本文从真空灭弧室绝缘机理的理论基础出发,以10kV产品为研究对象,对灭弧室内部电场进行模拟分析,改良灭弧室内部结构,选用新型触头材料,采用一次封排生产工艺,并通过实验数据的对比,验证了真空灭弧室绝缘水平的影响因素。通过本课题的开展,提高了产品合格率,为真空接触器用灭弧室的结构优化设计和新产品开发积累一定的经验。第一章介绍了本文的研究背景和动机,简述了国内外真空灭弧室绝缘水平的研究动态,提出了本文的研究目的和方向,并给出全文的大纲。第二章首先介绍了真空灭弧室的结构和工作原理,然后重点介绍了影响真空灭弧室耐压的各种因素,最后阐述了真空绝缘的破坏机理。第三章根据影响真空灭弧室耐压的各种因素,再次对灭弧室的击穿特性进行分析,并对灭弧室内部电场进行模拟分析,提出绝缘外壳的设计方案,选用新型触头材料和波纹管材料,采用一次封派生产工艺,对灭弧室进行改进。第四章着重通过工频耐压试验和雷电冲击耐压试验对产品的改进效果进行验证。第五章总结全文,并提出未来的一些研究方向。
赵智忠[5]（2006）在《高压真空灭弧室结构与工艺的设计与实验研究》文中研究说明本文首先简要回顾了国内外真空灭弧室的发展历史与现状，综述了真空灭弧室的基本设计理论和工艺方法，以高电压等级真空灭弧室为对象，根据目前的发展水平与研究现状、存在的几个主要问题，引出本文的研究内容与目标。 高电压等级真空灭弧室的设计关键是其结构电场的优化。本文以动态绝缘为设计目标，提出高电压真空灭弧室的全程优化设计方法。根据击穿弱点理论，确定把主电场引入均压屏蔽罩的多间隙高电压真空灭弧室结构，然后应用有限元法和最优化理论，对真空灭弧室的电场进行数学建模和优化，即通过求解灭弧室内部的静电场定解问题，优化其内部元件的几何参数，使灭弧室内部电场均匀化，并使静态电场强度的峰值出现在“第二辅助间隙”中。 电真空陶瓷的封接强度是高电压等级真空灭弧室的结构与制造工艺中的关键问题之一。本文首先分析了影响封接强度的主要原因，应用液体焊料的能量约束方程，确定立封结构的焊料凝固轮廓线，得到立封焊缝的有限元模型；对比传统的平封焊缝结构下的应力，并通过标准抗拉件试验证明，立封结构比平封结构的封接应力小，总拉断载荷和单位面积上的抗拉强度都比平封的高。大直径的高压陶瓷真空灭弧室应选择立封结构形式。 针对高电压等级真空灭弧室尺度大、结构可靠性受到威胁的问题，本文对封接过程的工艺参数进行了理论分析、优化与实验研究。通过Surface Evolver软件得到焊缝的有限元模型，进而用ANSYS软件计算不同钎焊降温工艺条件下的封接应力。通过应力分析，得到了一种新的降温工艺，在不增加封接应力、不降低封接强度的前提下，降温时间比传统降温工艺缩短了3小时。标准抗拉件试验验证了这种工艺的效果。在工艺方面，作者还解决了实际生产中出现的中间屏蔽罩固定环断裂问题。 高电压等级真空灭弧室工作过程中的动态绝缘水平是我国目前高电压等级真空灭弧室产品开发的“瓶颈”问题，目前主要靠出厂前的各种老炼工艺来稳定绝缘水平。本文根据中压真空灭弧室的老炼机理，建立了“击穿弱点”分布模型，提出老炼是针对击穿弱点的电子逸出与离子轰击的复合过程，提出了高电压等级下保证动态绝缘水平的老炼方法和老炼参数，用以指导高电压真空灭弧室绝缘的稳定化处理。在工艺方面，作者还分析老炼后出现的瓷壳黄斑现象，并给出了解决的方法。 合成回路试验是检测开关开断性能重要的手段之一。本研究对用于高压真空灭弧室试验的合成回路进行了改进性设计，包括硬件电路的参数计算、合成回路的PLC控制
王军[6]（2005）在《真空灭弧室真空度在线检测研究》文中研究指明真空开关以其无以伦比的优点在输变电电网中压领域得到了大量的应用,其核心部件——真空灭弧室作为一种无源电真空器件,影响其可靠性的主要因素是真空度。真空中的绝缘强度与真空度有着密切的联系。因此,真空灭弧室的真空度是保证真空开关绝缘性能和灭弧性能的重要技术指标。运行中的真空开关,其真空灭弧室的真空度若低于一定数量级,就可能导致真空开关不能正常开断电路,而影响配电系统的正常供电,这将造成极大的危害。本文从真空测量的基础理论出发,结合真空灭弧室结构和真空开关使用的特殊性,提出了应用潘宁放电原理在线测量真空灭弧室真空度。首先,通过对潘宁放电原理的研究,设计了适用于真空灭弧室在线检测真空度的真空传感器,并对真空传感器进行了校正,得到其真空度-离子流对应曲线。其次,从真空灭弧室真空度在线检测的目的和简洁实用出发,设计在线检测的控制方式。并在此基础上,构建了真空灭弧室真空度在线检测系统。最后,通过对比方式验证本在线检测系统真空测量的准确性;通过模拟实际使用状态,验证了本在线检测系统的抗干扰性能。试验效果较为理想。本文第一章介绍了真空灭弧室真空度在线检测的背景和动机,及其目前国内外的研究现状,分别指出了其各种方式的优势和不足之处。重点阐明了在线检测在真空灭弧室上的重要性和研究的可行性,并给出全文的大纲。第二章首先介绍了真空灭弧室的基本结构和工作原理,及其真空度在真空灭弧室中的重要性。介绍了真空测量的相关基础理论,并重点阐述了冷阴极电离真空规管的基本原理和特性。同时针对真空计的校准,对常用的两种方式进行了对比分析。最后介绍磁性材料的主要性能。第三章着重介绍了潘宁放电原理在真空灭弧室真空度在线检测上的应用。从
魏铁印[7]（2003）在《生产过程中真空灭弧室零件的预除气和储存》文中进行了进一步梳理真空灭弧室的真空度质量十分重要。本文就真空灭弧室的真空度质量与零件的预除气,储存等有关方面进行一些讨论;会对真空灭弧室的生产开发有所帮助。
魏铁印[8]（2003）在《真空灭弧室的一次封排工艺》文中研究指明以真空灭弧室的一次封排工艺的真空度质量为主 ,对真空灭弧室有关的设计、工艺流程等方面进行讨论 ;这会对真空灭弧室的生产开发和电真空工艺有所帮助
二、生产过程中真空灭弧室零件的预除气和储存（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、生产过程中真空灭弧室零件的预除气和储存（论文提纲范文）
（1）CT球管排气台控制系统研究与设计（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 课题背景及研究意义 |
| 1.1.1 CT球管 |
| 1.1.2 CT球管加工工艺 |
| 1.1.3 研究意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 本文的研究内容与章节安排 |
| 1.3.1 研究内容 |
| 1.3.2 章节安排 |
| 2 系统总体设计 |
| 2.1 CT球管排气工艺 |
| 2.2 需求分析 |
| 2.2.1 系统硬件功能需求 |
| 2.2.2 系统软件功能需求 |
| 2.3 总体方案设计 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 系统硬件设计与实现 |
| 3.1 CT球管排气台 |
| 3.2 电控柜的设计与搭建 |
| 3.2.1 吸气剂/灯丝电源 |
| 3.2.2 电封离电源 |
| 3.2.3 定子线包及驱动系统 |
| 3.2.4 阳极高压电源 |
| 3.2.5 PLC与工控机 |
| 3.2.6 电控柜搭建 |
| 3.3 本章小结 |
| 4 系统软件设计与实现 |
| 4.1 PLC程序设计 |
| 4.1.1 PLC工作方式 |
| 4.1.2 排气控制程序设计 |
| 4.2 上位机程序设计 |
| 4.2.1 串口通信 |
| 4.2.2 用户界面设计 |
| 4.2.3 系统流程设计 |
| 4.3 排气流程的控制策略 |
| 4.4 吸气剂和灯丝电流调整 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 系统调试与运行结果分析 |
| 5.1 硬件测试 |
| 5.2 系统运行结果与分析 |
| 5.2.1 上位机操作界面 |
| 5.2.2 结果分析 |
| 5.3 本章小结 |
| 6 总结与展望 |
| 6.1 全文工作总结 |
| 6.2 未来工作展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 附录 |
| A 阴极小灯丝除气 |
| B 阴极大灯丝除气 |
（2）H公司中压车间生产流程优化研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 选题的目的及意义 |
| 1.2 国内外精益生产思想发展 |
| 1.3 论文结构 |
| 1.4 研究创新点 |
| 第2章 理论方法综述 |
| 2.1 生产流程概述 |
| 2.1.1 生产流程的概念 |
| 2.1.2 生产流程的构成 |
| 2.2 精益生产概述 |
| 2.3 价值流图(VSM)概述 |
| 2.3.1 价值流图简介 |
| 2.3.2 价值流图分析方法及工具 |
| 第3章H公司中压车间生产流程现状分析 |
| 3.1 H公司及中压产品简介 |
| 3.2 中压车间生产流程现状 |
| 3.2.1 中压车间组织机构及职能 |
| 3.2.2 中压车间生产流程 |
| 3.3 中压车间生产流程的VSM图绘制 |
| 3.4 中压车间生产流程的问题分析 |
| 第4章H公司中压车间生产流程优化方案设计及实施 |
| 4.1 中压车间生产流程增值过程识别及定义 |
| 4.2 中压车间生产流程优化方案设计 |
| 4.3 中压车间生产流程优化方案实施 |
| 4.4 中压车间生产流程优化效果评价 |
| 第5章 总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（3）汽车灯具复合镀膜工艺关键技术及控制方法研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 选题背景及意义 |
| 1.1.1 汽车灯具简介 |
| 1.1.2 国内外发展情况 |
| 1.1.3 选题意义 |
| 1.2 汽车灯具复合镀膜工艺关键技术 |
| 1.2.1 复杂曲面结构表面均匀镀膜工艺难题 |
| 1.2.2 底层流平工艺带来的附着力问题 |
| 1.2.3 高反射率和光学保护膜复合膜系制备工艺 |
| 1.2.4 复合镀膜工艺过程全自动控制技术 |
| 1.3 论文结构和主要研究内容 |
| 2 车灯复合镀膜工艺技术路线研究 |
| 2.1 真空系统相关概念 |
| 2.2 真空镀膜工艺技术 |
| 2.2.1 PVD镀膜工艺 |
| 2.2.2 CVD镀膜工艺 |
| 2.3 车灯复合镀膜工艺路线 |
| 2.3.1 车灯表面复合膜系结构 |
| 2.3.2 工艺技术路线 |
| 2.3.3 车灯复合镀膜装备 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 复杂曲面结构车灯表面均匀镀膜工艺研究 |
| 3.1 薄膜沉积的均匀性 |
| 3.2 镀膜蒸发源布置 |
| 3.2.1 有效镀膜距离 |
| 3.2.2 有效镀膜区域 |
| 3.2.3 蒸发源的布置 |
| 3.3 工件运动方式 |
| 3.3.1 运动轨迹方程 |
| 3.3.2 运动轨迹分析 |
| 3.3.3 工件转速的选择 |
| 3.4 工作气体的布置 |
| 3.4.1 气体引入与配气方式 |
| 3.4.2 车灯镀膜工作气体 |
| 3.5 均匀性镀膜试验 |
| 3.5.1 试验过程 |
| 3.5.2 试验效果分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 底层流平处理带来的附着力问题与离子清洗工艺研究 |
| 4.1 薄膜的附着力问题 |
| 4.1.1 薄膜的附着力理论 |
| 4.1.2 车灯镀膜的附着力问题 |
| 4.2 离子轰击清洗处理工艺 |
| 4.2.1 离子轰击清洗的基本原理 |
| 4.2.2 气体放电理论及应用 |
| 4.2.3 车灯在线离子清洗工艺 |
| 4.3 离子轰击电场及实现方式 |
| 4.3.1 非均匀电场模型 |
| 4.3.2 均匀电场模型 |
| 4.3.3 高压电源引入与绝缘防护 |
| 4.4 离子轰击清洗效果 |
| 4.4.1 薄膜附着力的评价 |
| 4.4.2 离子轰击清洗试验 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 高反射率与光学保护膜复合膜系制备工艺研究 |
| 5.1 车灯产品性能需求 |
| 5.2 金属化薄膜及反射率 |
| 5.2.1 薄膜反射率 |
| 5.2.2 金属薄膜材料 |
| 5.3 高反射Al膜制备工艺 |
| 5.3.1 蒸发镀膜制备工艺 |
| 5.3.2 磁控溅射制备工艺 |
| 5.4 光学保护膜在线制备工艺 |
| 5.4.1 传统保护膜工艺的不足 |
| 5.4.2 铝膜的保护膜材料选择 |
| 5.4.3 等离子聚合薄膜机理 |
| 5.4.4 在线保护膜制备工艺 |
| 5.5 反射率和保护膜性能 |
| 5.5.1 反射率性能 |
| 5.5.2 抗劣化性能 |
| 5.5.3 耐摩擦性能 |
| 5.6 本章小结 |
| 6 复合镀膜工艺过程控制方法研究 |
| 6.1 计算机全自动控制系统方案 |
| 6.1.1 控制系统方案 |
| 6.1.2 工艺过程组态控制 |
| 6.2 真空获得过程控制方法 |
| 6.2.1 真空获得过程分析 |
| 6.2.2 真空获得过程控制 |
| 6.3 离子轰击工艺过程控制方法 |
| 6.3.1 气体放电负载特性 |
| 6.3.2 离子轰击工艺过程控制 |
| 6.4 蒸发与溅射镀膜工艺控制方法 |
| 6.4.1 蒸发源的负载特性 |
| 6.4.2 蒸发工艺过程控制 |
| 6.4.3 磁控溅射源负载特性 |
| 6.4.4 磁控溅射工艺过程控制 |
| 6.5 本章小结 |
| 结论与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间的研究成果 |
（4）真空灭弧室绝缘水平的分析与探讨（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景与动机 |
| 1.2 国内外真空灭弧室绝缘水平的研究动态 |
| 1.2.1 国外研发状况 |
| 1.2.2 国内研发状况 |
| 1.3 本文的研究目的和方向 |
| 第二章 理论基础 |
| 2.1 真空灭弧室基础知识 |
| 2.1.1 灭弧室结构 |
| 2.1.2 灭弧室工作原理 |
| 2.1.3 真空开关的优点 |
| 2.2 影响真空灭弧室耐压的因素 |
| 2.2.1 电极的几何形状 |
| 2.2.2 间隙距离 |
| 2.2.3 电极材料 |
| 2.2.4 真空度 |
| 2.2.5 电极的表面状况 |
| 2.2.6 老炼效应 |
| 2.3 真空绝缘的破坏机理 |
| 2.3.1 场致发射论对真空间隙所以能发生击穿的解释 |
| 2.3.2 微块引起击穿的解释 |
| 2.3.3 微放电导致真空间隙击穿的解释 |
| 第三章 灭弧室内部优化设计 |
| 3.1 灭弧室绝缘外壳的设计 |
| 3.1.1 管外空气的击穿特性以及外壳沿面闪络特性 |
| 3.1.2 绝缘外壳的设计 |
| 3.1.3 设计方案 |
| 3.2 内部结构设计 |
| 3.2.1 触头表面电场分析 |
| 3.2.2 屏蔽筒沿面电场分析 |
| 3.3 封排工艺改进 |
| 3.3.1 传统的排气生产方式 |
| 3.3.2 一次封排方式 |
| 3.4 铜-陶端封取代可伐-陶瓷平封 |
| 3.5 瓷封焊接慢性漏气的分析 |
| 3.6 波纹管采用新材料 |
| 3.7 触头材料的选择 |
| 第四章 试验验证 |
| 4.1 试验条件 |
| 4.1.1 工频耐压试验 |
| 4.1.2 雷电冲击耐压试验 |
| 4.2 灭弧室的装配生产 |
| 4.2.1 主要装配过程 |
| 4.2.2 装配工艺的关键点 |
| 4.3 试验结果分析 |
| 4.3.1 一次封排的优点 |
| 4.3.2 波纹管的改变 |
| 4.3.3 陶瓷外壳和屏蔽筒的更改 |
| 4.4 动态试验 |
| 第五章 结论与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（5）高压真空灭弧室结构与工艺的设计与实验研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 真空灭弧室的发展历史与现状 |
| 1.2.1 真空灭弧室的发展历史 |
| 1.2.2 真空灭弧室发展的现状及关键技术 |
| 1.2.3 真空灭弧室的发展趋势 |
| 1.3 高压真空灭弧室的基本设计理论与方法 |
| 1.3.1 真空灭弧室电场优化理论研究进展综述 |
| 1.3.2 高压真空灭弧室触头系统的设计与计算 |
| 1.3.3 真空灭弧室的其他部件 |
| 1.4 真空灭弧室的生产工艺和试验 |
| 1.4.1 瓷壳、金属化及其工艺 |
| 1.4.2 真空灭弧室的老炼工艺 |
| 1.4.3 真空灭弧室的合成回路试验 |
| 1.5 真空灭弧室向高电压等级发展亟需解决的主要问题 |
| 1.6 本文主要研究内容和章节安排 |
| 2 高压真空灭弧室电场的全程优化设计 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 均压屏蔽罩的设置 |
| 2.3 屏蔽罩边缘的形状与等位线 |
| 2.3.1 平板电极边缘的最高电场 |
| 2.3.2 平板电极边缘的形状 |
| 2.4 均压屏蔽罩的圆角半径和材料 |
| 2.5 均压屏蔽罩圆角的指向 |
| 2.6 高压真空灭弧室的电场优化 |
| 2.6.1 电场优化理论 |
| 2.6.2 电场优化模型 |
| 2.7 电场优化结果 |
| 2.8 本章小结 |
| 3 高压真空灭弧室的封接结构与封接工艺研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 封接结构的理论分析与计算 |
| 3.2.1 平封结构的应力分析与计算 |
| 3.2.2 筒夹封结构的应力分析与计算 |
| 3.2.3 立封结构的应力分析与计算 |
| 3.3 封接结构的ANSYS分析 |
| 3.3.1 润湿现象与接触角 |
| 3.3.2 立封结构分析 |
| 3.3.3 平封结构分析 |
| 3.4 高压真空灭弧室封接结构的确定 |
| 3.4.1 封接质量测试 |
| 3.4.2 高压真空灭弧室封接结构的确定 |
| 3.5 高压真空灭弧室的封接工艺 |
| 3.5.1 不同降温工艺条件下的应力分析 |
| 3.5.2 标准抗拉件和抗拉强度试验管试验 |
| 3.5.3 封接工艺小结 |
| 3.6 屏蔽罩固定环断裂的原因和解决措施 |
| 3.6.1 中间屏蔽罩固定环断裂现象 |
| 3.6.2 金相分析 |
| 3.6.3 解决措施 |
| 3.7 本章小结 |
| 4 高压真空灭弧室的老炼 |
| 4.1 老炼的机理 |
| 4.1.1 击穿弱点分布模型 |
| 4.1.2 老炼作用机理分析 |
| 4.1.3 高压老炼的微观分析 |
| 4.2 高压真空灭弧室老炼的实验研究 |
| 4.2.1 大电流老炼 |
| 4.2.2 热态高压老炼 |
| 4.2.3 辅助间隙的高压老炼 |
| 4.2.4 变开距老炼 |
| 4.3 高压真空灭弧室老炼工艺的设计 |
| 4.4 瓷壳黄斑的形成机制及消除措施 |
| 4.4.1 对瓷壳黄斑现象的试验分析 |
| 4.4.2 对黄斑现象的理论分析 |
| 4.4.3 消除的措施和结论 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 高压真空开关的合成回路试验 |
| 5.1 合成回路的原理及发展现状 |
| 5.1.1 合成回路的原理 |
| 5.1.2 合成试验回路发展现状 |
| 5.2 合成回路的主回路 |
| 5.3 充放电电路 |
| 5.3.1 电压源充放电电路 |
| 5.3.2 电流源背靠背充放电电路 |
| 5.4 合成回路试验的等效性 |
| 5.5 合成回路的PLC控制系统 |
| 5.5.1 系统控制原理 |
| 5.5.2 机构电源回路与手动分、合闸 |
| 5.5.3 开关参数测量系统及高速计数器的应用 |
| 5.5.4 合成试验控制系统 |
| 5.5.5 控制参数的修改 |
| 5.6 合成试验波形分析 |
| 5.7 本章小结 |
| 6 结论 |
| 创新点摘要 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 |
| 致谢 |
| 大连理工大学学位论文版权使用授权书 |
（6）真空灭弧室真空度在线检测研究（论文提纲范文）
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景与动机 |
| 1.2 研究目的 |
| 1.3 国内外研究现状分析 |
| 1.4 研究方向展望 |
| 1.5 本文的工作 |
| 第二章 理论基础 |
| 2.1 真空灭弧室基础 |
| 2.1.1 真空灭弧室结构简介 |
| 2.1.2 真空灭弧室工作原理 |
| 2.1.3 真空度在真空灭弧室中的重要性 |
| 2.2 真空测量基础 |
| 2.2.1 真空测量基本知识 |
| 2.2.2 电离真空计 |
| 2.2.3 真空计校准 |
| 2.3 在线检测技术 |
| 2.4 磁性材料 |
| 第三章 设计与制作 |
| 3.1 传感器设计 |
| 3.1.1 传感器结构 |
| 3.1.2 传感器校正 |
| 3.2 信号的采集 |
| 3.3 信号处理及控制方式选择 |
| 第四章试验 |
| 4.1 真空度测量 |
| 4.2 抗干扰试验 |
| 4.3 现场运行试验 |
| 第五章总结与展望 |
| 致谢 |
| 主要参考文献 |
| 在学期间的研究成果 |
（7）生产过程中真空灭弧室零件的预除气和储存（论文提纲范文）
| 1 真空灭弧室零件的预除气状况 |
| 3 真空灭弧室零件的预除气 |
| 3.1 金属件预除气 |
| 3.2 陶瓷件预除气 |
| 4 真空灭弧室零件的储存 |
| 5 结束语 |
四、生产过程中真空灭弧室零件的预除气和储存（论文参考文献）
- [1]CT球管排气台控制系统研究与设计[D]. 冯丽媛. 浙江大学, 2020(12)
- [2]H公司中压车间生产流程优化研究[D]. 王学孟. 吉林大学, 2017(08)
- [3]汽车灯具复合镀膜工艺关键技术及控制方法研究[D]. 令晓明. 兰州交通大学, 2015(07)
- [4]真空灭弧室绝缘水平的分析与探讨[D]. 吕中明. 电子科技大学, 2010(03)
- [5]高压真空灭弧室结构与工艺的设计与实验研究[D]. 赵智忠. 大连理工大学, 2006(12)
- [6]真空灭弧室真空度在线检测研究[D]. 王军. 电子科技大学, 2005(12)
- [7]生产过程中真空灭弧室零件的预除气和储存[J]. 魏铁印. 真空电子技术, 2003(06)
- [8]真空灭弧室的一次封排工艺[J]. 魏铁印. 真空电子技术, 2003(01)