一、钨青铜(TB)型晶体材料的分子设计及其新进展（论文文献综述）
罗国仕[1]（2017）在《充满型钨青铜铌酸盐陶瓷结构的调控及性能》文中研究表明由于电子通讯科技的快速发展,对电子元器件的功能化、小型化以及低成本高性能的要求越来越突出,因此开发具有性能优异、经济节约和多功能化的新型材料成为现代电子信息技术发展的重要课题。钨青铜型陶瓷具有优异的介电、铁电、非线性光学等优异性能,广泛应用于电子领域。目前,报道充满型钨青铜型铌酸盐Ba4Sm2Fe2Nb8030（BSFN）陶瓷具有室温多铁性,但是尚存在较大争议。因此,本文以BSFN陶瓷为研究对象,通过微波烧结技术、添加Sr2KNb5015晶粒以及模板晶粒生长技术等手段调控陶瓷结构及性能。（1）通过传统烧结法和微波烧结法制备了充满型钨青铜BSFN致密陶瓷。传统烧结制备的BSFN陶瓷除了四方钨青铜主晶相外,还生成了B Fe12019第二相,显微结构为柱状晶粒。而微波烧结BSFN陶瓷密度更加高,而且为钨青铜纯相,为等轴晶粒。更重要的是,微波烧结制备的BSFN陶瓷具有更好的介电性能和明显的室温多铁性:峰值介电常数（f=1kHz）=695,剩余极化强度Pr=2.16μC/cm2,矫顽场Ec=6.56kV/cm;剩余磁化强度Br=0.43emu/g,矫顽磁场Hc=2930Oe。（2）熔盐法制备SKN模板的最佳合成条件为:熔盐为KC1,原料SrNb206与Nb205的摩尔比为1.0,熔盐中KC1与氧化物的质量之比为1.5,合成温度为1150℃,保温时间为4h。所得模板为长径比3-15纯四方相钨青铜单相Sr2KNb5O15。随着模板SKN含量的增加,BSFN陶瓷的密度与收缩率逐渐下降;BSFN陶瓷介电常数逐渐增大,而居里温度逐渐下降。其中SKN含量5%时,其介电与铁电性能都优于纯BSFN陶瓷,但是其铁磁性能却有所降低。（3）采用模板晶粒生长技术在不同温度下都获得了含有主晶相乌青铜结构BSFN陶瓷,但是含有少量的杂相铌酸锶氧化物。与常规制备方法相比,采用模板晶粒生长技术制备的BSFN陶瓷晶粒呈明显棒状且具有沿同一方向的择优取向度。模板晶粒生长技术制得的BSFN陶瓷介电峰值远大于常规烧结制备的陶瓷,提高近4倍;在相同的频率范围内,模板晶粒生长工艺可以使得BSFN陶瓷介电的介电损耗下降。模板晶粒生长技术制得的BSFN陶瓷比常规烧结具有更好的铁电性能,虽然其矫顽场比传统烧结的陶瓷略大,但是其剩余极化强度从1.25μC/cm2 增加到 2.12μC/cm2。
邵娜娜[2]（2017）在《BLTN无铅电光陶瓷结构与性能的研究》文中提出随着绿色经济的发展以及建设生态文明的迫切需求,无铅陶瓷已经成为当前功能陶瓷材料及其应用研究的热点之一。以镧掺杂锆钛酸铅（简称PLZT）为代表的传统铅基电光陶瓷虽然具有电光系数大,光学透过性好以及具备多种电光效应等优点,但由于其介电常数较大,在匹配高速驱动电路时十分困难。而根据文献报道,钨青铜结构的镧掺杂钛铌酸钡（简称BLTN）无铅电光陶瓷具有传统铅基电光陶瓷相当的电光效应,但其介电常数仅为PLZT透明陶瓷的四分之一左右,在高速光器件的设计应用中非常有利于其与高速驱动电路的匹配。目前关于BLTN无铅电光陶瓷研制及其微观结构和性能研究的报道极少,主要原因为其烧结温度范围窄、致密化难度大,而且由于钨青铜结构较为复杂,使得制备出稳定的纯钨青铜结构BLTN陶瓷更加困难。针对BLTN无铅电光陶瓷目前的研制现状,本论文从材料的组成设计、工艺调控两方面出发开展了一系列研究,并探讨了影响陶瓷材料结构与性能稳定性的主要因素。首先采用固相反应法通过常压空气气氛烧结工艺制备BLTN电光陶瓷。通过热分析等方法确定BLTN粉体的结晶温度,通过对陶瓷材料显微结构分析优化烧结制度。研制获得组成均匀、结构致密的Ba6-1.5xLaxTi2Nb8O30（0≤x≤7 mol%）系列陶瓷样品,考察了La掺杂对材料结构与铁电、介电性能的影响。研究结果表明,随着镧含量增加,陶瓷样品晶粒尺寸逐渐减小;镧的存在有效降低了材料的居里温度,BTN的居里温度为155℃左右,而BLTN的居里温度为100℃左右;未掺杂镧元素及镧掺杂量较小的陶瓷样品在常温下易开裂、结构易失稳;随着镧含量的增加,陶瓷样品的结构稳定性逐渐增强,当镧掺杂含量为4 mol%时,BLTN无铅电光陶瓷具有良好的结构稳定性,并呈现出较好的铁电与介电性能(Pr=0.77μC/cm2、Pmax=6.41μC/cm2、Ec=3.80 k V/cm、εr=1423.80),且该双面抛光样品具有良好的光学透明度。为近一步提高BLTN无铅电光陶瓷的致密度,减少气孔缺陷所导致的光散射损失,优化材料的透明度,选择离子半径与镧元素相似且熔点较低的铋元素对BLTN（x=4 mol%）组分进行复合掺杂改性。分别通过内掺法（doping）和外掺法（adding）进行复合掺杂研究,系统考察了铋掺杂BLTN（x=4 mol%）无铅电光陶瓷的相结构、显微结构以及铁电和介电等特性。研究结果表明,内掺法制备的陶瓷样品致密度和透明度均优于外掺法。对内掺法制备的陶瓷样品进一步研究发现,随着铋掺杂量的增加,样品的晶粒尺寸先增加后减小,铋元素的掺杂并未使样品的铁电、介电性能发生较大的改变(Bi含量为0.5～1.5 mol%时,Pr=0.82～1.01μC/cm2、Pmax=6.43～6.54μC/cm2、Ec=4.00～4.76 k V/cm、εr=1308～1440),但陶瓷样品的居里温度稍有降低（约85℃）。对BLTN无铅电光陶瓷经时稳定性进行研究,发现镧含量较小的陶瓷样品经时稳定性较差,主要表现为经过一段时间的放置,样品表面逐渐出现细微裂纹,铁电性能逐渐衰退,但对于复合掺杂铋元素的BLTN（x=4 mol%）陶瓷样品,经过同样的老化时间,铁电性能并无明显变化,陶瓷样品结构与性能的经时稳定性显着提高。
张安平,边小兵,刘鹏,陈晓明[3]（2016）在《PbO添加量对Pb0.925Ba0.075Nb2O6压电陶瓷结构和电学性能的影响》文中研究说明为制备具有高密度、单一正交铁电相及优异压电性能的PbNb2O6基压电陶瓷,研究了在1 250℃预烧的正交相粉体中添加不同质量分数的PbO对陶瓷的晶体结构、微观形貌、介电及压电性能的影响。结果发现,随着PbO添加量的增加,陶瓷的微观形貌发生明显改善,晶粒由棒状逐渐变为等轴状。当PbO的添加量为4%（质量分数）时,得到的陶瓷性能最优,晶粒尺寸更加均匀,晶粒间结合紧密,相对密度≥94%,平均晶粒尺寸为9.9μm,居里温度Tc为539℃,压电常数d33达到62pC/N。
刘云云[4]（2016）在《(Pb0.985-xBi2x/3La0.01)(Nb0.95Ti0.0625)2O6压电陶瓷的结构及电学性能研究》文中研究表明偏铌酸铅（PbNb2O6）基陶瓷属于一种高温压电材料,本文以PbNb2O6基高温压电陶瓷为研究对象,研究了Bi3+掺杂、烧结气氛、前驱粉体粒径对陶瓷试样的结构、介电及压电性能的影响规律。主要研究内容如下：（1）采用标准电子陶瓷制备工艺制备了（Pb0.985-xBi2x/3La0.01）（Nb0.95Ti0.0625）2O6（记作PBLNT/x,x=0、0.01、0.04、0.06、0.1）压电陶瓷,详细研究了Bi3+掺杂对陶瓷结构及压电、介电等电学性能的影响规律。实验结果表明,各组份的陶瓷均形成纯正交铁电相,且掺杂Bi3+有助于降低陶瓷的烧结温度；随着Bi3+含量的增加,居里温度值降低；当x=0、0.01、0.04和0.06时,陶瓷的介电常数在室温至400℃的温度范围内没有发生明显的变化。当x=0.04时陶瓷的各项电学性能最佳,其压电常数d33＝87pC/N,机械品质因数Qm=22.60,介电损耗tanδ=0.024,居里温度Tc=494℃；对极化陶瓷试样进行热退火处理,发现d33值从室温至475℃的温区范围内仍保持在75 pC/N以上（2）在实验（1）的基础上选用各项性能良好的x=0.04组份,即（Pb0.945Bi0.027La0.01）（Nb0.95Ti0.0625）2O6。在烧结过程中改变烧结气氛（分别为氧气气氛和氮气气氛）,烧结陶瓷记作PBLNT/N2和PBLNT/O2。详细研究了烧结气氛对陶瓷结构及压电、介电等电学性能的影响规律。发现试样在两种烧结气氛下烧结均形成了纯的正交铁电相；氧气气氛有效降低了陶瓷的最佳烧结温度；烧结温度影响了陶瓷的晶胞参数；陶瓷的晶粒尺寸与烧结气氛和烧结温度相关；陶瓷的介电常数在室温至400℃的温度范围内并没有发生明显的变化；与PBLNT/N2陶瓷相比,PBLNT/O2陶瓷的居里温度值降低,压电常数升高；从室温至498℃温度范围内,PBLNT/N2-1250℃陶瓷的压电常数从74 pC/N降至71 pC/N, PBLNT/O2-1230℃陶瓷其压电常数从80 pC/N降至75 pC/N。（3）在实验（1）的基础上选取各项性能均良好的x=0.04组份,即PBLNT/0.04,在制备过程中采用不同的球磨方式获得具有不同粒度的前驱粉体。球磨方式分别选取为高能振动球磨方式（记作Ⅰ类试样）和普通行星式球磨方式（记作Ⅱ类试样）。详细研究了前驱粉体粒径对预烧性能、陶瓷的结构及压电、介电等电学性能的影响规律。高能振动球磨法获得的前驱粉体在725℃预烧即可得到纯三方相,而采用普通行星球磨法获得的前驱粉体在900℃预烧才能得到纯三方相；Ⅰ类试样获得纯正交铁电相的烧结温度为1170～1185℃,而Ⅱ类试样获得纯正交铁电相的烧结温度为1]80～1190℃；Ⅰ类试样的晶粒各向异性显着降低；两类陶瓷的介电性能差异并不显着,在室温至400℃温区内陶瓷的介电常数均没有明显改变；1180℃时Ⅱ类陶瓷表现出优异的压电常数（d33=87 pC/N）,而Ⅰ类陶瓷压电性能略低。
张安平[5]（2016）在《大尺寸偏铌酸铅高温压电陶瓷制备及介电、压电性能研究》文中研究表明偏铌酸铅（PbNb2O6, PN）压电陶瓷因其具有较高的居里温度（570℃）而被广泛的应用于高温压电换能器中。但偏铌酸铅有三种相结构：低温下为亚稳态的正交铁电相和三方非铁电相,高温下为四方顺电相。在陶瓷烧结过程中极易造成正交相向三方相的转变,然而只有正交铁电相具有压电性,因此陶瓷的压电性能受到很大影响。除此之外,在大尺寸偏铌酸铅陶瓷的制备上,由于在压制坏体的过程中存在坏体受力不均匀造成微裂纹及气孔较多等问题,使得烧结后的陶瓷在极化时容易击穿；PbO具有较低的熔点,而偏铌酸铅陶瓷的烧结温度往往在1200℃以上,所以在陶瓷烧结时Pb2+挥发,陶瓷晶体结构发生改变从而影响其性能。本论文从上述几个问题出发,研究了制备工艺、预烧粉的相结构及添加过量PbO对偏铌酸铅陶瓷晶体结构、微观结构和介电、压电性能的影响。（1）研究了制备工艺参数对Pb0.925Ba0.075Nb2O6-0.5wt%TiO2压电陶瓷结构和压电性能的影响,主要研究了单面轴向压力和冷等静压对陶瓷微观结构和压电性能的影响。结果表明：相比于轴向200Mpa压力压制的坏体,冷等静压170Mpa压力使坏体受力均匀,可以压制出气孔率低、微观裂纹少、更致密的塑性坏体,坏体在烧结的过程中,减少了气孔、微裂纹对晶粒生长的影响,烧结后陶瓷的晶粒形貌呈等轴形状,各向异性不明显,晶粒微裂纹明显减少,极化时不易击穿,陶瓷的压电性有所提升,压电系数d33为75pC/N。（2）为了抑制偏铌酸铅陶瓷中正交铁电相向三方非铁电相的转变和提高其致密度,采用Ba2+和过量Ti4+掺杂结合冷等静压法,详细研究了900℃预烧的三方相粉体（PBNT/R）和12500C预烧的正交相粉体（PBNT/O）对Pb0.925Ba0.075Nb2O6-0.5wt%TiO2压电陶瓷晶体结构、微观形貌、介电及压电性能的影响。结果表明,正交相预烧粉体制备的陶瓷,显微结构较致密,其平均晶粒尺寸更小（11.9μm）,同时表现出了较高的压电性能(d33=83 pC/N),适用于高温压电传感器；除此之外,陶瓷压电性能的重复率得到了很大提升,在分批烧结的18个样品中,压电系数d33均在60 pC/N,基本满足工业化生产要求。（3）偏铌酸铅陶瓷的烧结温度往往高于1200℃,为了补偿高温下挥发的Pb2+和获得高密度、单一正交相、优异压电性能的PN基陶瓷,采用传统固相法制备PN压电陶瓷,在1250。C预烧的正交相粉体中添加不同量的PbO,研究了过量PbO含量对PN基陶瓷的物相结构、微观结构、介电、压电性能的影响。结果发现,随着PbO补偿量的增加,陶瓷的微观形貌发生明显改善,晶粒由棒状逐渐变为等轴状。当PbO添加量为4wt%时,晶粒尺寸更加均匀,晶粒间结合紧密,相对密度≥94%,平均晶粒尺寸为9.9 μm,居里温度Tc为539℃,压电常数d33达到62pC/N。
张瑜[6]（2011）在《偏铌酸铅基高居里温度压电陶瓷的制备工艺及改性研究》文中研究表明高温压电陶瓷材料,必须在较高的温度下不发生结构相变而影响其压电性能,且各项性能参数在较宽的温度范围内必须保持稳定,能长期处于高温状态下工作。本文以PbNb2O6基高温压电陶瓷为研究对象,采用标准电子陶瓷工艺,研究了工艺参数对陶瓷电学性能的影响；研究了A、B位取代及氧化物掺杂对陶瓷相结构、显微组织及电学性能的影响,获得以下结果：（1）研究了制备工艺对Pb0.925Ba0.075Nb2O6—x wt%TiO2（x=0.4,0.5）陶瓷电学性能的影响。①研究了陶瓷圆片的密度与尺寸对其径向谐振频率的影响,结果表明,陶瓷圆片的径向谐振频率与样品的密度,直径及厚度成反比。②研究了压力大小对样品的尺寸及密度的影响。压力小,样品的直径小,密度也较低。通过压力大小可以调节样品的径向谐振频率。而压力过小将降低陶瓷的密度,对后期极化处理不利。最佳压强为8-10Mpa。③研究了极化温度对陶瓷样品压电性能的影响。研究结果表明,在极化电场和极化时间相同的情况下,极化温度越高,电畴越趋于定向排列,极化效果越好。而极化温度过高将导致陶瓷体电阻率降低,漏电流增大,甚至会导致击穿。最佳极化温度为175℃至185℃。（2）采用标准电子陶瓷工艺制备了（Pb0.985La0.01）1+y（Nb1-yTiy）2O6（0≤y≤0.1）（PLNT）陶瓷。通过X射线衍射（XRD）以及扫描电镜（SEM）研究了陶瓷的相结构以及显微组织。烧结温度在1250。C至12900C范围内所有样品均形成正交铁电相。预烧过程中,高Ti含量样品中所含过量的PbO促进了正交相的形成,此外,Ti4+取代Nb5+所引起的高的容忍因子也促进了正交相的稳定。随着Ti的加入,PLNT陶瓷的晶粒逐渐由长柱状变为等轴状,气孔减少,晶粒间结合紧密,陶瓷的致密度得到提高。通过对PLNT陶瓷的介电和压电性能的测试结果表明,Ti4+取代Nb5+,使介电常数及损耗降低,居里温度升高,压电常数变大。当y=0.075时,εr=182, tanδ=0.18%, d33=84pC/N, Tc=564℃。综合性能优良。Ti和La双取代偏铌酸铅陶瓷可被应用在高温和高频环境下的超声换能器中。（3）采用标准电子陶瓷工艺制备了Pb0.97La0.02（Nb0.95Ti0.0625）2O6+x wt%TiO2（0≤x≤2） （PLNT-x T）陶瓷。研究表明：Ti02的加入提高了陶瓷的体密度；XRD表明在1230。C至1290。c范围内烧结的所有样品均形成了正交铁电相,Ti4+进入晶体结构；SEM显示Ti02掺杂后晶粒被细化,晶粒间结合紧密。少量的Ti02加入后,部分Ti4+取代Nb5+进入B位,增强了陶瓷的铁电性,使居里温度升高,压电性能提高。Ti02的含量逐渐增多时,部分Ti4+进入了未充满的A位及C位,晶体中将会产生Pb空位来维持电价平衡,Pb空位抑制了陶瓷的长程耦合作用,降低了陶瓷的居里温度。x=0.4为最佳组分,该样品表现出优良的电学性能：εr=40, tanδ= 0.006, Tc=498℃, d33=82pC/N,可高温高频环境下使用。
谷睿[7]（2010）在《SBN基陶瓷的制备及性能的研究》文中提出随着人类环保意识的增强及社会和和生态环境可持续发展的需要,无铅压电陶瓷材料的开发及其应用研究已经成为了各国学者竞相关注的热点。然而,无铅压电陶瓷材料的性能与传统含铅压电陶瓷相比还有一定的差距。所以开发高性能的无铅压电陶瓷体系成为了一项迫切需要研究的课题。铌酸锶钡（Sr, Ba） Nb2O6具有优异的电光、压电、热点和光折射性能,是无铅铁电领域最具研究潜力的材料之一。但铌酸锶钡陶瓷存在着烧结温度高、压电和介电性能相对较低等缺点,并且较难制备出具备良好致密性和较优性能的样品。本文采用传统固相法制备了SrxBa1-xNb2O6（简称SBN）基无铅压电陶瓷,并且从配方设计、烧结工艺及掺杂改性三方面进行了研究。研究了组分变化对体系相结构、微观形貌、密度以及介电和铁电性能的影响,并且筛选出较优组分（Sr0.53Ba0.47Nb2O6）。在此基础上,选择了Na+、Ta5+和LiSbO3作为取代和掺杂剂,对较优组分体系进行了A、B和C位的取代和掺杂研究,以期达到降低烧结温度、降低介电损耗、提高陶瓷致密度和优化电性能的目的。主要内容如下：首先,系统地研究了Sr/Ba比的变化对SBN陶瓷的相结构、显微结构以及电性能的影响。结果表明：原料粉体在1200℃下预烧4h时,当x<0.51,可得到四方钨青铜结构单相,而当x>0.51时,XRD图谱中出现了SrNb2O6的峰,即随着Sr/Ba的增大,粉体的预烧变得困难。而在1250℃下预烧4h时,所有组分的陶瓷粉体均为四方钨青铜结构,即对于同一组分的原料粉体,提高预烧温度,容易得到纯相。所有组分在1380℃/6h的条件下均可获得致密性良好的陶瓷,没有出现明显的晶粒异常长大现象。在x=0.53时,陶瓷密度达到理论密度的92%。各组分陶瓷样品在室温下的介电常数随Sr/Ba的增大而增大,且居里温度Tc随Sr/Ba增大从86℃降低到65℃。所有组分的陶瓷样品均为典型的弛豫铁电体。它们都具有饱和的电滞回线,随着Sr/Ba比的增加,陶瓷样品的剩余极化强度Pr和矫顽场Ec都变化不大。综合各方面性能,得出具有较优性能的组分为x=0.53：此时性能为：Tc=77℃,εm=2774, Pr= 1.09μC/cm2,Ec=3.66 kV/cm。其次,选用Na+、Ta5+作为取代离子,对已经筛选出的最佳组分Sr0.53Ba0.47Nb2O6的晶体结构中的A、B位进行取代研究,以期提高陶瓷样品的致密度,降低介电损耗,进一步改善陶瓷的电性能。结果表明：（1）当Na+单独取代A位时, Na+的含量在0.1-0.8mol的范围内,所有陶瓷样品均属于四方钨青铜结构。随着Na+含量增加,陶瓷晶粒尺寸增大,陶瓷样品的弛豫性特征消失,温度频率稳定性增加,居里温度大幅度提高,且铁电性增强。居里温度Tc从77℃增大到310℃C,当Na+含量为0.6时,综合性能较优,分别为：Tc=310℃,εm=2021,Pr=2.07μC/cm2, Ec=6.46kV/cm。（2）当Ta5+单独取代B位时：Ta5+含量在0.05-0.40范围内,所有陶瓷样品均为四方钨青铜结构,晶格参数的改变使所有组分的衍射峰都稍稍向低角度方向偏移。随着Ta5+含量增大,陶瓷样品的致密性提高,密度最大可达到理论密度的98.3%,介电损耗大幅度降低（最低可达到4.9×10-4）,居里温度降低,弛豫性增强,铁电性减弱。当Ta5+含量为0.1时,其综合和性能较优,分别为：Tc=25℃,εm=2387,tanδ=0.027。（3）当Na+和Ta5+同时取代A、B位时,Ta5+取代量固定为0.1。当Na+含量在0.3-1.05的范围内,所有陶瓷样品均属于四方钨青铜结构。当Na+含量大于0.7时,陶瓷样品的温度介电谱图上在130℃附近出现了一个介电单峰,形成了“介电双峰”效果,并随着Na+含量的增大而愈加明显。随着Na+含量从0.3变化到1.05,陶瓷样品的温度频率稳定性升高,但弛豫特性减弱。综合各方面性能考虑得出具有较优性能的组分为当Ta5+含量为0.1,Na+含量为0.6时,综合性能为：Tc=248℃,εm=2472, Pr= 2.07μC/cm2,Ec=7.25 kV/cm.最后,在筛选出的最佳组分Sr0.53Ba0.47Nb2O6的基础上引入LiSbO3,研究了LiSbO3含量的变化对陶瓷相结构、微观形貌以及电性能的影响,以期降低烧结温度,并且改善其电性能。结果表明：LiSbO3的含量在0.01-0.04mol的范围内,所有陶瓷样品均属于四方钨青铜结构。随着LiSbO3含量增加,陶瓷晶粒尺寸减小,形貌更为均匀致密,居里温度降低（79℃降低到32℃）,晶格参数变化,铁电性减弱。适量地引入LiSbO3可以明显的降低陶瓷粉体的预烧温度和陶瓷体的烧结温度,预烧温度从1250℃降低到1180℃,烧结温度从1400℃降低到1280℃。所有组分陶瓷样品为典型的弛豫型铁电体。在1280℃下烧结6h且LiSbO3的含量为0.03时,其综合性能较优,分别为：Tc=44℃,εm=2392, Pr=0.59μC/cm2,Ec=2.36kV/cm。
陈国华,戚冰[8]（2009）在《掺杂Ca2+和Mg2+对SBN陶瓷介电性能的影响》文中进行了进一步梳理以分析纯的碳酸锶、碳酸钡、碳酸钙、氧化镁和五氧化二铌为原料,采用固相法制备掺杂Ca（Mg）的Sr0.5Ba0.5Nb2O6陶瓷材料。采用X射线衍射仪、扫描电镜和阻抗分析仪,研究掺杂样品的相组成、微观组织和介电性能。研究结果表明,Ca2+掺杂量≤0.23mol时,Ca2+取代钨青铜结构中A位的Sr2+和Ba2+,随Ca掺杂量的增加,SBN晶格常数逐渐减小。介电温谱曲线显示:在150℃和330℃处出现介电双峰;当Ca2+掺杂量≥0.28mol时,出现第二相CaNb2O6,此时对应（Sr,Ba,Ca）Nb2O6的介电峰逐渐消失。Mg掺杂的所有陶瓷样品,XRD谱呈现SBN50与MgNb2O6两相共存的情形。在150℃和310℃处同样出现介电双峰,随着Mg掺杂量增加,介电峰为1个单峰,并移向低温。
张宝林[9]（2008）在《铌酸锶钡陶瓷的制备与介电性能的研究》文中研究表明本课题主要在一个较宽的组成范围（X=0.3～0.9）内研究铌酸锶钡陶瓷的固相合成工艺,确定达到最佳性能的条件,探索制备工艺﹑微观结构和介电性能之间的关系,讨论该体系材料的弛豫特性和相变特征,为这一钨青铜结构无铅压电陶瓷的广泛应用提供必要的研究基础。试验中采用传统的固相合成法,合成了钨青铜结构陶瓷(Sr1-xBax)Nb2O6 （简写为SBN,X=0.3～0.9）。本文系统介绍了电子功能陶瓷的制备工艺流程,结合对SBN陶瓷的微观结构的SEM分析,探讨了预烧温度、烧结温度以及Ba含量对陶瓷介电性能的影响,分析了SBN陶瓷介电常数﹑温度特性﹑损耗的频率特性等性能。铌酸锶钡是典型的弛豫型铁电体,随着Ba含量的提高,介电常数峰值对应的温度逐渐向高温方向移动。SBN陶瓷在高于居里温度的温区的介电响应很好的符合了居里—外斯定律。
王波,姚国光,刘鹏,孟玲,门高丽,陈宏,张丹[10]（2008）在《CaTiO3对Pb0.95Ba0.05Nb2O6压电陶瓷性能的影响》文中提出采用标准电子陶瓷工艺制备了（1-x）Pb0.95Ba0.05Nb2O6-xCa0.5TiO3（x=0.01,0.02,0.03,0.04）高温压电陶瓷,研究了CaTiO3对Pb0.95Ba0.05Nb2O6陶瓷的显微组织、相结构,介电和压电性能的影响,得到了CaTiO3掺杂量与Pb0.95Ba0.05Nb2O6陶瓷性能之间的关系。X射线衍射（XRD）分析表明,CaTiO3的加入使Pb0.95Ba0.05Nb2O6很容易形成正交铁电相,而且相同方法制备纯的PbNb2O6是菱方非铁电相钨青铜结构,随着CaTiO3含量的增加,晶胞体积减小。介电温谱测试表明该改性材料具有高居里温度（Tc>550℃）。测试了不同组成陶瓷的压电性能及其热稳定性,当CaTiO3的掺入量x=0.03时,得到压电常数达到d33=69pC/N、平面机电耦合系数Kp=0.30、机械品质因子Qm=27.8、居里温度Tc=570℃的陶瓷样品,该组成具有优异的热稳定性,适合于高温（500℃）环境下使用。
二、钨青铜(TB)型晶体材料的分子设计及其新进展（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、钨青铜(TB)型晶体材料的分子设计及其新进展（论文提纲范文）
（1）充满型钨青铜铌酸盐陶瓷结构的调控及性能（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 多铁性材料 |
| 1.2.1 铁电体 |
| 1.2.2 铁磁性材料 |
| 1.2.3 多铁性 |
| 1.3 钨青铜型电介质陶瓷 |
| 1.3.1 非充满型钨青铜 |
| 1.3.2 充满型钨青铜 |
| 1.3.3 完全充满型钨青铜 |
| 1.4 陶瓷结构调控 |
| 1.4.1 陶瓷晶体结构调控 |
| 1.4.2 陶瓷显微结构调控 |
| 1.5 课题提出以及研究内容 |
| 第二章 实验部分 |
| 2.1 制备方法 |
| 2.2 实验原料与仪器 |
| 2.3 结构与性能表征 |
| 2.3.1 密度与径向收缩率测定 |
| 2.3.2 物相分析 |
| 2.3.3 介电性能测量 |
| 2.3.4 显微结构表征 |
| 2.3.5 DSC的测定 |
| 2.3.6 电滞回线与磁滞回线的测定 |
| 第三章 BSFN陶瓷的制备结构、及多铁性能 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 实验过程 |
| 3.3 传统烧结制备BSFN陶瓷的结构和性能 |
| 3.3.1 烧结特性 |
| 3.3.2 物相分析 |
| 3.3.3 显微结构 |
| 3.3.4 介电性能 |
| 3.3.5 铁电性能 |
| 3.4 微波烧结制备BSFN陶瓷的结构和性能 |
| 3.4.1 烧结特性 |
| 3.4.2 物相分析 |
| 3.4.3 显微结构 |
| 3.4.4 介电性能 |
| 3.5 不同方法制备BSFN陶瓷结构、性能对比分析 |
| 3.5.1 铁电性能及热分析 |
| 3.5.2 铁磁性能 |
| 3.6 小结 |
| 第四章 SKN模板制备及其对BSFN结构性能的影响 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 SKN的制备 |
| 4.2.1 实验流程 |
| 4.2.2 熔盐体系对SKN粉体结构和形貌的影响 |
| 4.2.3 熔盐含量对Sr_2KNb_5O_(15)粉体结构的影响 |
| 4.2.4 熔盐温度对Sr_2KNb_5O_(15)粉体结构的影响 |
| 4.3 SKN模板对BSFN钨青铜陶瓷结构和性能的影响 |
| 4.3.1 实验过程 |
| 4.3.2 烧结特性 |
| 4.3.3 物相分析 |
| 4.3.4 显微结构 |
| 4.3.5 介电性能 |
| 4.3.6 铁电性能 |
| 4.3.7 铁磁性能 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 模板法流延制备BSFN陶瓷及其结构和性能 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 实验过程 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 物相分析 |
| 5.3.2 显微结构 |
| 5.3.3 介电性能 |
| 5.4 小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
| 在学习期间已录用及投稿论文 |
（2）BLTN无铅电光陶瓷结构与性能的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 透明铁电陶瓷 |
| 1.2.1 PLZT透明铁电陶瓷 |
| 1.2.2 透明铁电陶瓷的电光特性及应用 |
| 1.3 无铅铁电陶瓷 |
| 1.3.1 钙钛矿结构无铅铁电体 |
| 1.3.2 铋层状结构铁电体 |
| 1.3.3 钨青铜结构铁电体 |
| 1.4 透明铁电陶瓷的弛豫相变行为 |
| 1.5 钨青铜结构分子设计 |
| 1.5.1 钨青铜型分子结构 |
| 1.5.2 四方钨青铜分子设计 |
| 1.5.2.1 A与C位置的分子设计 |
| 1.5.2.2 B位置的分子设计 |
| 1.5.2.3 整体分子设计 |
| 1.6 本论文的研究内容 |
| 第二章 实验方法和测试技术 |
| 2.1 原料组成 |
| 2.2 工艺流程 |
| 2.2.1 氧化镧的称量 |
| 2.2.2 球磨混料 |
| 2.2.3 粉体预合成 |
| 2.2.4 干燥、造粒、成型 |
| 2.2.5 等静压 |
| 2.2.6 烧结工艺的选择 |
| 2.3 性能表征 |
| 2.3.1 相结构分析 |
| 2.3.2 显微结构分析 |
| 2.3.3 铁电性能测试 |
| 2.3.4 介电性能测试 |
| 第三章 镧含量对BLTN陶瓷结构与性能的影响 |
| 3.1 BLTN的设计原理 |
| 3.1.1 分子设计 |
| 3.1.2 容限因子 |
| 3.1.3 电负性 |
| 3.2 相结构分析 |
| 3.3 显微结构分析 |
| 3.4 镧掺杂对BLTN陶瓷的稳定作用 |
| 3.5 镧含量对介电性能的影响 |
| 3.6 镧含量对铁电性能的影响 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 铋掺杂BLTN陶瓷结构与性能的研究 |
| 4.1 掺杂元素的选择 |
| 4.2 掺杂方法的优化 |
| 4.2.1 材料的组成与制备 |
| 4.2.2 烧结温度的选择 |
| 4.2.3 不同掺杂方法相结构分析 |
| 4.2.4 不同掺杂方法显微结构对比 |
| 4.3 铋掺杂BLTN陶瓷结构与性能的影响 |
| 4.3.1 相结构分析 |
| 4.3.2 显微结构分析 |
| 4.3.3 铁电性能分析 |
| 4.3.4 介电性能分析 |
| 4.3.5 铋掺杂对于材料的透明度的影响 |
| 4.4 铋掺杂对于材料经时稳定性的研究 |
| 4.4.1 BLTN电光陶瓷的经时老化现象 |
| 4.4.2 铋掺杂对于BLTN经时稳定性的影响 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
（3）PbO添加量对Pb0.925Ba0.075Nb2O6压电陶瓷结构和电学性能的影响（论文提纲范文）
| 1实验过程 |
| 1.1样品制备 |
| 1.2表征方法 |
| 2结果与讨论 |
| 2.1 物相结构 |
| 2.2 微观结构 |
| 2.3 介电性能及压电性能 |
| 3 结论 |
（4）(Pb0.985-xBi2x/3La0.01)(Nb0.95Ti0.0625)2O6压电陶瓷的结构及电学性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 高温压电陶瓷材料概述 |
| 1.2 PbNb_2O_6基压电陶瓷 |
| 1.2.1 PbNb_2O_6基陶瓷的晶体结构 |
| 1.2.2 PbNb_2O_6基陶瓷的研究现状 |
| 1.3 本文研究内容的概述 |
| 第2章 陶瓷试样的制备工艺及表征手段 |
| 2.1 PbNb_2O_6基陶瓷的制备 |
| 2.1.1 主要原料和配方 |
| 2.1.2 高速振动球磨法制备前驱粉体 |
| 2.1.3 陶瓷试样的制备工艺 |
| 2.2 陶瓷试样的体密度测试 |
| 2.3 陶瓷试样的表征及性能测试 |
| 2.3.1 晶体结构分析 |
| 2.3.2 微观结构分析 |
| 2.4 陶瓷试样的电学性能表征 |
| 2.4.1 电学性能表征 |
| 2.4.2 压电性能表征 |
| 第3章 Bi~(3+)含量对(Pb_(0.985-x)Bi_(2x/3)La_(0.01))(Nb_(0.95)Ti_(0.0625))_2O_6陶瓷的结构和电学性能的影响 |
| 3.1 试样的制备 |
| 3.2 晶体结构和显微结构 |
| 3.3 介电性能 |
| 3.4 压电性能 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 烧结气氛对(Pb_(0.945)Bi_(0.027)La_(0.01))(Nb_(0.95)Ti_(0.0625))_2O_6陶瓷的结构和电学性能的影响 |
| 4.1 陶瓷试样的制备 |
| 4.2 晶体结构和显微结构 |
| 4.3 介电性能 |
| 4.4 压电性能 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 前驱粉体粒径对(Pb_(0.945)Bi_(0.027)La_(0.01))(Nb_(0.95)Ti_(0.0625))_2O_6陶瓷的结构和电学性能的影响 |
| 5.1 前驱物粉体及陶瓷试样的制备 |
| 5.2 预烧粉的物相 |
| 5.3 陶瓷的物相结构 |
| 5.4 陶瓷的微观结构 |
| 5.5 陶瓷的介电及压电性能 |
| 5.6 本章小结 |
| 第6章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间科研成果 |
（5）大尺寸偏铌酸铅高温压电陶瓷制备及介电、压电性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 电介质的极化 |
| 1.2 压电材料概述 |
| 1.3 高居里温度压电陶瓷的研究现状 |
| 1.4 偏铌酸铅基压电陶瓷的研究现状 |
| 1.5 本文研究的主要内容 |
| 第2章 实验方法 |
| 2.1 陶瓷样品的制备过程 |
| 2.1.1 实验所用原料 |
| 2.1.2 样品制备工艺及电学性能测试 |
| 2.2 性能表征 |
| 2.2.1 晶体结构 |
| 2.2.2 显微结构 |
| 2.2.3 介电性能 |
| 2.2.4 压电性能 |
| 2.3 致密度分析 |
| 第3章 制备工艺对Pb_(0.925)Ba_(0.075)Nb_2O_6-0.5wt%TiO_2压电陶瓷结构和压电性能的影响 |
| 3.1 样品制备 |
| 3.2 晶体结构 |
| 3.3 体密度及微观结构 |
| 3.4 结论 |
| 第4章 预烧粉相结构对Pb_(0.925)Ba_(0.075)Nb_2O_6-0.5wt%TiO_2压电陶瓷结构和电学性能的影响 |
| 4.1 样品制备 |
| 4.2 晶体结构 |
| 4.3 微观结构 |
| 4.4 介电性能 |
| 4.5 压电性能 |
| 4.6 结论 |
| 第5章 PbO添加量对Pb_(0.925)Ba_(0.075)Nb_2O_6-0.5wt%TiO_2压电陶瓷结构和电学性能的影响 |
| 5.1 样品制备 |
| 5.2 晶体结构 |
| 5.3 微观结构 |
| 5.4 介电性能及压电性能 |
| 5.5 结论 |
| 第6章 结论 |
| 6.1 全文结论 |
| 6.2 进一步研究工作建议 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 硕士期间研究成果 |
（6）偏铌酸铅基高居里温度压电陶瓷的制备工艺及改性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 压电材料和铁电材料概述 |
| 1.2 高居里温度压电陶瓷的研究现状 |
| 1.2.1 钨青铜(TB)型晶体材料的分子结构 |
| 1.2.2 偏铌酸铅基压电陶瓷的研究现状 |
| 1.3 本文研究的主要内容 |
| 第2章 实验方法 |
| 2.1 样品制备 |
| 2.1.1 实验所用原料 |
| 2.1.2 样品的制备工艺 |
| 2.2 线收缩率和体积密度测试 |
| 2.2.1 线收缩率 |
| 2.2.2 体积密度 |
| 2.3 相结构和显微结构表征 |
| 2.3.1 相结构分析 |
| 2.3.2 显微结构分析 |
| 2.4 陶瓷样品的电学性能测试 |
| 2.4.1 陶瓷样品的介电性能测试 |
| 2.4.2 陶瓷样品的压电性能测试 |
| 2.4.3 陶瓷样品的铁电性能测试 |
| 第3章 制备工艺对PbNb_2O_6基压电陶瓷性能的影响 |
| 3.1 样品的制备 |
| 3.2 制备工艺对Pb_(0.925)Ba_(0.075)Nb_2O_6—x wt%TiO_2陶瓷性能的影响 |
| 3.2.1 尺寸及密度对陶瓷样品的谐振频率的影响 |
| 3.2.2 压力对陶瓷样品的尺寸及密度的影响 |
| 3.2.3 极化条件对陶瓷样品压电常数的影响 |
| 3.3 结论 |
| 第4章 Ti取代的(Pb_(0.985)La_(0.01))_(1+y)(Nb_(1-y)Ti_y)_2O_6陶瓷的组成、结构及性能研究 |
| 4.1 样品的制备 |
| 4.2 相结构和微观结构 |
| 4.3 介电性能 |
| 4.4 压电及铁电性能 |
| 4.5 结论 |
| 第5章 TiO_2掺杂的Pb_(0.97)La_(0.02)(Nb_(0.95)Ti_(0.0625))_2O_6陶瓷的组成、结构及性能研究 |
| 5.1 样品的制备 |
| 5.2 样品的烧结性能 |
| 5.3 相结构和微观结构 |
| 5.4 介电与压电性能 |
| 5.5 结论 |
| 第6章 结论 |
| 6.1 全文结论 |
| 6.2 进一步研究工作建议 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间的研究成果 |
（7）SBN基陶瓷的制备及性能的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 无铅压电陶瓷的研究现状 |
| 1.2.1 铌酸盐系无铅压电陶瓷 |
| 1.3 铁电材料概述 |
| 1.3.1 铁电材料的发展历史及应用 |
| 1.3.2 铁电材料基本概念和主要性能参数 |
| 1.4 铌酸锶钡材料概述 |
| 1.4.1 钨青铜结构陶瓷 |
| 1.4.2 铌酸锶钡晶体的性质及应用 |
| 1.4.3 铌酸锶钡陶瓷的研究进展 |
| 1.4.4 掺杂对铌酸锶钡性能的影响 |
| 1.5 本文的主要内容 |
| 第2章 实验方法 |
| 2.1 铌酸锶钡(SBN)陶瓷样品的制备工艺 |
| 2.2 结构与表征 |
| 2.2.1 表观密度 |
| 2.2.2 预烧粉体及其陶瓷样品的相结构分析 |
| 2.2.3 预烧粉体及其陶瓷样品的显微组织分析 |
| 2.3 陶瓷样品的性能测试 |
| 2.3.1 陶瓷样品的介电性能 |
| 2.3.2 陶瓷样品的铁电性能 |
| 第3章 铌酸锶钡陶瓷的制备与电性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 Sr/Ba比变化对Sr_xBa_(1-x)Nb_2O_6陶瓷的影响 |
| 3.2.1 Sr/Ba比的变化对SBN陶瓷相结构的影响 |
| 3.2.2 Sr/Ba比的变化对SBN陶瓷密度的影响 |
| 3.2.3 Sr/Ba比的变化对SBN陶瓷的显微结构的影响 |
| 3.2.4 Sr/Ba比的变化对SBN陶瓷的介电性能的影响 |
| 3.2.5 Sr/Ba比的变化对SBN陶瓷的铁电性能的影响 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 A、B位离子取代对铌酸锶钡陶瓷的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Na~+取代对SBN陶瓷显微结构和电性能的影响 |
| 4.2.1 Na~+取代对SBN陶瓷相结构的影响 |
| 4.2.2 Na~+取代对SBN陶瓷显微结构的影响 |
| 4.2.3 Na~+取代对SBN陶瓷介电性能的影响 |
| 4.3 Ta~(5+)取代对SBN陶瓷显微结构和电性能的影响 |
| 4.3.1 Ta~(5+)取代对SBN陶瓷相结构的影响 |
| 4.3.2 Ta~(5+)代对SBN陶瓷显微结构的影响 |
| 4.3.3 Ta~(5+)取代对SBN陶瓷介电性能的影响 |
| 4.4 Na~+、Ta~(5+)共同取代对SBN陶瓷显微结构和电性能的影响 |
| 4.4.1 Na~+、Ta~(5+)共同取代对SBN陶瓷相结构的影响 |
| 4.4.2 Na~+、Ta~(5+)共同取代对SBN陶瓷显微结构的影响 |
| 4.4.3 Na~+、Ta~(5+)共同取代对SBN陶瓷介电性能的影响 |
| 4.4.4 Na~+、Ta~(5+)共同取代对SBN陶瓷铁电性能的影响 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 引入LiSbO_3对铌酸锶钡陶瓷的影响 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 引入LiSbO_3对SBN陶瓷显微结构和电性能的影响 |
| 5.2.1 引入LiSbO_3对SBN陶瓷相结构的影响 |
| 5.2.2 引入LiSbO_3对SBN陶瓷显微结构的影响 |
| 5.2.3 引入LiSbO_3对SBN陶瓷电性能的影响 |
| 5.2.4 引入LiSbO_3对SBN陶瓷铁电性能的影响 |
| 5.3 本章小结 |
| 第6章 全文结论和进一步研究工作建议 |
| 6.1 全文主要结论 |
| 6.2 进一步工作的建议 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间科研成果 |
（8）掺杂Ca2+和Mg2+对SBN陶瓷介电性能的影响（论文提纲范文）
| 1 实验 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 XRD分析 |
| 2.2 介电性能测试 |
| 2.3 SEM观察 |
| 3 结论 |
（9）铌酸锶钡陶瓷的制备与介电性能的研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 铁电陶瓷材料的历史与发展 |
| 1.1.1 铁电陶瓷材料的历史 |
| 1.1.2 铁电陶瓷材料的发展 |
| 1.1.3 铁电陶瓷材料的应用 |
| 1.2 铁电陶瓷材料的基本概念和主要性能参数 |
| 1.3 铌酸锶钡材料概述 |
| 1.3.1 钨青铜结构 |
| 1.3.2 铌酸锶钡晶体的性质及应用 |
| 1.3.3 铌酸锶钡陶瓷及研究进展 |
| 1.4 本课题的研究内容和研究意义 |
| 第二章 试验工艺与测试技术 |
| 2.1 SBN 陶瓷材料的基本制备工艺 |
| 2.2 原料的选择 |
| 2.3 球磨工艺 |
| 2.4 预烧和烧结工艺 |
| 2.5 粉体成型 |
| 2.6 表面金属化 |
| 2.7 材料性能测试 |
| 2.7.1 样品介电性能测试 |
| 2.7.2 微观形貌分析 |
| 第三章 铌酸锶钡陶瓷的介电性能 |
| 3.1 Ba 含量对铌酸锶钡介电性能的影响 |
| 3.1.1 Ba 含量对铌酸锶钡材料介电性能温度特性的影响 |
| 3.1.2 Ba 含量对铌酸锶钡陶瓷损耗的影响 |
| 3.1.3 铌酸锶钡陶瓷介电性能的频率表征 |
| 3.1.4 铌酸锶钡陶瓷的绝缘电阻率 |
| 3.2 微观形貌分析 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 合成条件对铌酸锶钡陶瓷的介电性能影响的研究 |
| 4.1 预烧温度对于铌酸锶钡陶瓷性能的影响 |
| 4.1.1 预烧温度对密度的影响 |
| 4.1.2 预烧温度对介电性能及温度特性的影响 |
| 4.1.3 微观形貌分析 |
| 4.2 烧结温度对于铌酸锶钡陶瓷性能的影响 |
| 4.2.1 烧结温度对密度的影响 |
| 4.2.2 烧结温度对介电性能的影响 |
| 4.2.3 微观形貌分析 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 铌酸锶钡陶瓷的介电弛豫特性 |
| 5.1 弛豫铁电体与弛豫型铁电陶瓷 |
| 5.2 弛豫铁电体的特征 |
| 5.3 铌酸锶钡铁电陶瓷的弥散相变现象 |
| 5.4 铌酸锶钡陶瓷的居里－外斯行为与机理分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 本文总结及结果展望 |
| 6.1 本文总结 |
| 6.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 发表论文和科研情况说明 |
| 致谢 |
（10）CaTiO3对Pb0.95Ba0.05Nb2O6压电陶瓷性能的影响（论文提纲范文）
| 1 引 言 |
| 2 实 验 |
| 2.1 样品制备 |
| 2.2 样品分析与性能测试 |
| 3 结果和讨论 |
| 3.1 物相分析 |
| 3.2 显微结构与密度 |
| 3.3 介电性能 |
| 3.4 压电性能与热稳定性 |
| 4 结 论 |
四、钨青铜(TB)型晶体材料的分子设计及其新进展（论文参考文献）
- [1]充满型钨青铜铌酸盐陶瓷结构的调控及性能[D]. 罗国仕. 福州大学, 2017(04)
- [2]BLTN无铅电光陶瓷结构与性能的研究[D]. 邵娜娜. 上海师范大学, 2017(06)
- [3]PbO添加量对Pb0.925Ba0.075Nb2O6压电陶瓷结构和电学性能的影响[J]. 张安平,边小兵,刘鹏,陈晓明. 陕西师范大学学报(自然科学版), 2016(03)
- [4](Pb0.985-xBi2x/3La0.01)(Nb0.95Ti0.0625)2O6压电陶瓷的结构及电学性能研究[D]. 刘云云. 陕西师范大学, 2016(05)
- [5]大尺寸偏铌酸铅高温压电陶瓷制备及介电、压电性能研究[D]. 张安平. 陕西师范大学, 2016(05)
- [6]偏铌酸铅基高居里温度压电陶瓷的制备工艺及改性研究[D]. 张瑜. 陕西师范大学, 2011(10)
- [7]SBN基陶瓷的制备及性能的研究[D]. 谷睿. 陕西师范大学, 2010(04)
- [8]掺杂Ca2+和Mg2+对SBN陶瓷介电性能的影响[J]. 陈国华,戚冰. 中南大学学报(自然科学版), 2009(01)
- [9]铌酸锶钡陶瓷的制备与介电性能的研究[D]. 张宝林. 天津大学, 2008(09)
- [10]CaTiO3对Pb0.95Ba0.05Nb2O6压电陶瓷性能的影响[J]. 王波,姚国光,刘鹏,孟玲,门高丽,陈宏,张丹. 硅酸盐通报, 2008(02)