SOI——21世纪超大规模集成电路的高端技术

SOI——21世纪超大规模集成电路的高端技术

一、SOI-21世纪VLSI的高端技术(论文文献综述)

刘轶男,李欣欣,吴思诗,杨巍[1](2021)在《基于体系工程思想的科技攻坚体系研究》文中研究指明面对国内经济发展的内在需求以及严峻的国际形势,需要深刻认识科技攻坚的复杂性和长期性。文中从体系工程的视角,阐述了科技攻坚体系具有整体性、协同性、自治性、有机关联性、能力涌现性等主要特征。聚焦集成电路领域,选取日本和韩国作为科技攻坚的典型代表,深入理解科技攻坚体系的主要特征,学习借鉴成功经验,从政府角色转变、汇集创新要素、建设高端人才队伍等方面提出完善我国科技攻坚体系的思考建议。

彭坚[2](2021)在《技术创新联盟的国际经验与中国策略》文中研究指明法制保障、精准布局、通力合作、协同支撑是日本技术研究组合的四大成功要素,既体现时代因素,又反映出规律因素。我国需要立足新的国际环境和国内现实条件,系统把握好精准布局、通力合作、协同支撑等关键成功要素,以"弱化国家背景"和接轨国际惯例的方式发挥政府强引导作用,近期在产业技术创新战略联盟中择优培育一批先导性试点战略联盟,当好"卡脖子"技术攻关的突破尖兵。中远期,面向未来科技布局和组织模式、运行制度层面的创新,推动先导性试点战略联盟发展成为更具可持续性和更彰显中国制度优势的顶级联盟,形成全球最佳实践平台。

刘伟岩[3](2020)在《战后科技革命推动日本产业升级研究 ——基于创新体系的视角》文中研究指明2008年经济危机后,为摆脱经济下行的轨道,美国、日本、德国先后提出了“重振制造业”(2009年)、日本版“第四次工业革命”(2010年)、“工业4.0”(2012年)等战略计划,而我国也于2015年提出了“中国制造2025”的行动纲领。这些战略规划的陆续出台拉开了以大数据、云计算、物联网(Io T)、人工智能(AI)等为标志的新一轮科技革命的帷幕。而作为第二经济大国,我国应如何借助于这一难得机遇来推动国内产业升级则成为亟待思考的问题。回顾日本走过的“路”可知,其也曾作为“第二经济大国”面临过相似的难题,且从中日经济发展历程比较和所面临的“三期叠加”状态来看,我国现阶段也更为接近20世纪70年代的日本,而日本却在当时的情况下借助于以微电子技术为核心的科技革命成功地推动了国内产业的改造升级。基于此,本文以日本为研究对象并将研究阶段锁定在其取得成功的战后至20世纪80年代这一时期,进而研究其所积累的经验和教训,以期为我国接下来要走的“路”提供极具价值的指引和借鉴。在对熊彼特创新理论以及新熊彼特学派提出的技术经济范式理论、产业技术范式理论、国家创新体系理论和部门创新体系理论等进行阐述的基础上,本文借助于此从创新体系的视角构建了“科技革命推动产业升级”的理论分析框架,即:从整体产业体系来看,其属于技术经济范式转换的过程,该过程是在国家创新体系中实现的,且两者间的匹配性决定着产业升级的绩效;而深入到具体产业来看,其又是通过催生新兴产业和改造传统产业来实现的,对于此分析的最佳维度则是能够体现“产业间差异性”的部门创新体系,同样地,两者间的匹配性也决定着各产业升级的成效。回顾科技革命推动日本产业升级的历程可知,其呈现出三个阶段:20世纪50~60年代的“重化型”化,70~80年代的“轻薄短小”化,以及90年代后的“信息”化。其中,“轻薄短小”化阶段是日本发展最为成功的时期,也是本文的研究范畴所在。分析其发生的背景可知:虽然效仿欧美国家构建的重化型产业结构支撑了日本经济“独秀一枝”的高速发展,但在日本成为第二经济大国后,这一产业结构所固有的局限性和问题日渐凸显,倒逼着日本垄断资本进行产业调整;而与此同时,世界性科技革命的爆发恰为其提供了难得的历史机遇;但是这种机遇对于后进国来说在一定意义上又是“机会均等”的,该国能否抓住的关键在于其国内的技术经济发展水平,而日本战后近20年的高速增长恰为其奠定了雄厚的经济基础,且“引进消化吸收再创新”的技术发展战略又在较短的时间内为其积累了殷实的技术基础。在这一背景下,借助于上文所构建的理论分析框架,后文从创新体系的视角解释了战后以微电子技术为核心的科技革命是如何推动日本产业升级以及日本为何更为成功的。就整体产业体系而言,科技革命的发生必然会引致技术经济范式转换进而推动产业升级,且这一过程是在由政府、企业、大学和科研机构以及创新主体联盟等构建的国家创新体系中实现的。战后科技革命的发源地仍是美国,日本的参与借助的是范式转换过程中创造的“第二个机会窗口”,换言之,日本的成功得益于对源于美国的新技术的应用和开发研究,其技术经济范式呈现出“应用开发型”特点。而分析日本各创新主体在推动科技成果转化中的创新行为可以发现,无论是政府传递最新科技情报并辅助企业引进技术、适时调整科技发展战略和产业结构发展方向、制定激励企业研发的经济政策和专利保护制度、采取措施加速新技术产业化的进程、改革教育体制并强化人才引进制度等支持创新的行为,还是企业注重提升自主创新能力、遵循“现场优先主义”原则、实施“商品研制、推销一贯制”、将资金集中投向开发研究和创新链的中下游环节以及培训在职人员等创新行为,或是大学和科研机构针对产业技术进行研究、重视通识教育和“强固山脚”教育以及培养理工科高科技人才等行为,亦或是“政府主导、企业主体”型的创新主体联盟联合攻关尖端技术、建立能够促进科技成果转化的中介机构、联合培养和引进优秀人才等行为都是能够最大限度地挖掘微电子技术发展潜力的。而这种“追赶型”国家创新体系与“应用开发型”技术经济范式间的相匹配正是日本能够更为成功地借力于战后科技革命推动产业升级的根因所在。进一步地从具体产业来看,科技革命引致的技术经济范式转换表现为新兴技术转化为新兴产业技术范式和改造传统产业技术范式的过程,这也是科技革命“双重性质”的体现。而对这一层面的分析则要用到能够体现“产业间差异性”的部门创新体系。在选取半导体产业和计算机产业作为新兴产业的代表,以及选取工业机器产业(以数控机床和工业机器人为主)和汽车产业作为微电子技术改造传统机械产业的典型后,本文的研究发现:由于这些产业在技术体制、所处的产业链位置、所在的技术生命周期阶段等方面的不同,其产业技术范式是相异的,而日本之所以能够在这些产业上均实现自主创新并取得巨大成功就在于日本各创新主体针对不同的产业技术范式进行了相应的调整,分别形成了与之相匹配的部门创新体系。而进一步比较各部门创新体系可知,日本政府和企业等创新主体针对“催新”和“改旧”分别形成了一套惯行的做法,但在这两类产业升级间又存在显着的差异,即:日本政府在“催新”中的技术研发和成果转化中均表现出了贯穿始终的强干预性,尤其是在计算机产业上;而在“改旧”中则干预相对较少,主要是引导已具备集成创新能力的“逐利性”企业去发挥主体作用。作为一种“制度建设”,创新体系具有“临界性”特点且其优劣的评析标准是其与技术经济范式的匹配性。日本能够成功地借力于以微电子技术为核心的科技革命推动国内产业升级的经验就在于其不仅构建了与当时技术经济范式相匹配的国家创新体系,而且注重创新体系的层级性和差异性建设,加速推进了新兴产业技术范式的形成,并推动了新旧产业的协调发展。但是,这种致力于“应用开发”的“追赶型”创新体系也存在着不可忽视的问题,如:基础研究能力不足,不利于颠覆性技术创新的产生,以及政府主导的大型研发项目模式存在定向失误的弊端等,这也是日本创新和成功不可持续以致于在20世纪90年代后重新与美国拉开差距的原因所在。现阶段,新一轮科技革命的蓬勃兴起在为我国产业升级提供追赶先进国家的“机会窗口”的同时,也为新兴产业的发展提供了“追跑”“齐跑”“领跑”并行发展的机遇,并为传统产业的高质量发展带来了难得的机会。由于相较于20世纪70年代的日本,我国现阶段所面临的情况更为复杂,因此,必须构建极其重视基础研究且具有灵活性的国家创新生态体系,重视部门创新体系的“产业间差异性”,形成与新兴产业技术范式相匹配的部门创新体系,以及建设能够促进传统产业技术范式演化升级的部门创新体系等。

马文君,蔡跃洲[4](2020)在《日美半导体磋商对中美贸易摩擦下中国集成电路产业的启示》文中进行了进一步梳理中美贸易摩擦同日美贸易摩擦及半导体磋商有着相似的内在逻辑,都是美国为了维护其世界领先地位而对潜在竞争对手的压制。日本的经验教训对中国有如下启示及建议:(1)半导体集成电路必然会成为中美贸易摩擦重点,应发挥中国超大规模市场、经济韧性和新型举国体制等独特优势,争取更大的发展空间;(2)半导体集成电路属于技术和资金双密集产业,由政府主导推动,官产学研各方协同配合,"联合攻关、成果共享"的共性技术开发模式,能够迅速提升后发跟随者的产业技术水平和国际竞争力;(3)在竞争策略上,应聚焦有限目标领域,集中力量形成产业竞争优势和制约能力;(4)准确把握技术演进方向、顺应市场需求变化也至关重要。

曲晨冰[5](2019)在《硅通孔微波耦合特性及三维集成微波无源滤波器研究》文中认为随着集成电路(Intergrated Circuits,ICs)应用多元化发展,半导体行业也面临着新的要求和挑战。业界希望通过寻找新材料和新的集成方法,来提高集成电路性能和更大的集成密度,而不单纯地依赖于存储器单元的物理缩放,来维持摩尔定律的发展趋势。增加集成、性能和异构性的一个重要方法是三维(Three-dimensional,3D)集成,其电路性能、体积、重量等方面都远远的优于二维平面集成电路,是未来集成电路进一步发展的重要趋势,以及实现片上系统的方案,也是能够使摩尔定律持续有效的新技术。作为3D IC中的关键技术之一,硅通孔(Through-Silicon-Via,TSV)技术实现了多层芯片垂直堆叠,具有尺寸小、能耗少、成本低、实现同构/异构芯片集成等优点,对3D IC的整体性能有着重要影响。因此,为了有效地形成大规模3D IC系统,TSV相关的理论研究与制造工艺研究都是必不可少的。此外,由于玻璃转接板在损耗、可视性等方面的优势,玻璃通孔(through glass via,TGV)技术实现为三维集成封装提供了更广阔的思路。近几年来,三维集成产品的工作频率越来越高,高密度TSV耦合产生的信号完整性问题也日益突出。另一方面,随着人们对移动通讯产品需求提高,在微波通信领域无源滤波器应用广泛,易于集成和小型化的三维无源滤波器引起人们的关注,也成为研究热点之一。本文针对硅通孔的微波耦合特性和三维无源微波滤波器进行了研究,主要的研究成果如下:1.建立高密度TSV阵列等效电路模型,提出尺寸优化的六边形TSV屏蔽簇结构,减小了串扰引入的损耗。本文通过提出等效回路矩阵方法,提取TSV阵列的电阻-电感-电容-电导参数,建立了多地环绕TSV屏蔽簇的π型等效电路模型,分析了接地TSV分布结构对耦合导纳参数和传输损耗的影响。进而建立六边形TSV屏蔽簇结构,并通过耦合测试结果证明了该结构能够有效减小相邻屏蔽簇间的串扰。相较于常用的四边形TSV屏蔽模块,六边形TSV屏蔽模块可以有效节约片上面积,减小三维微系统互连的片上尺寸。2.基于四端口网络和奇偶模分析方法建立差分TSV模型,研究了差分TSV的电磁特性。本文基于四端口网络提取了G-S-S-G型TSV阵列的阻抗和传输常数,采用奇偶模分析方法提取了差分传输TSV阵列的电磁特性参数。基于上述结果进一步建立了介质腔TSV阵列的等效电路模型,分析比较不同材料和结构TSV的差分损耗。本文对差分TSV与多个接地TSV的高密度TSV阵列的研究可以减小3D ICs中互连噪声和电磁干扰,有助于保证信号完整性。3.提出了新型紧凑3D TSV螺旋电感器结构,研究了其电感值和品质因子特性。本文首先通过提出的3D互连结构的修正因子优化电感解析式,构建了3D TSV电感器的可配置解析模型,分析不同物理尺寸对电感值的影响。其次基于仿真研究,在低频时紧凑3D TSV电感器比传统3D TSV电感器的片上电感密度增大一倍,同时品质因子更大。本文基于TSV技术的3D紧凑螺旋电感器的研究有利于无源器件的设计,提高3D系统异质结构集成度。4.基于新型紧凑3D螺旋电感器和3D叉指电容器结构,研究了可集成玻璃衬底的LC 3D TGV低通滤波器。本文设计的3D无源低通滤波器的低通损耗小,阻带抑制效果良好,最小有效面积为1.19×0.78 mm2,相对截止波长大小为0.020×0.013λg2。与其他几种工艺和结构的低通滤波器相比,本文提出的玻璃基板3D LC滤波器尺寸更小,更有利于微系统集成小型化。5.基于玻璃基底类集成波导结构,设计了V-band和W-band关键毫米波频率的带通滤波器。考虑到当前TGV的典型尺寸,本文分别采用单层和双层金属栅栏类集成波导结构,在较高频率V-band和W-band波段中制备出玻璃基板滤波器,并探究其滤波响应特性。本文对3D TGV类集成波导带通滤波器的研究,有助于异质芯片集成,减小芯片间的滤波损耗。

徐彩云[6](2019)在《我国高端芯片困境的成因与突破 ——华为经验》文中提出21世纪始,芯片产业转移至中国,由于技术受限,我国主要承接的是封装产业和测试产业,也就是芯片制造产业链的下游。对于产业链上游的设计产业国内企业难以承接下来。近年来我国芯片产业发展迅速,产业结构不断调整趋于优化,政府也越来越重视芯片产业的扶持工作,在2017年中国芯片产业成长为全球最大且增长最快的产业。但是中国芯片产业始终难以摆脱一种困境:高端芯片难以自足,严重依赖进口。芯片产业是现代“工业粮食”,是衡量一个国家综合实力和技术水平的重要因素。我国在超级计算机方面发展迅速,已实现芯片完全国产化,研发成果至今仍保持世界领先地位。但是在PC和手机这样的民用设备上,高端芯片仍然难以自足。由于芯片种类较多,运用于不同的领域适应不同的需要,因而讨论起来十分复杂。本文研究对象是智能手机CPU,因为CPU是中央处理器,对于终端机来说是像“大脑”一样非常重要;同时,CPU是芯片制造难度的最高水平代表,技术攻克十分困难,现今世界上所使用的智能手机CPU大部分来自于高通。虽然目前全球50%以上的手机是中国制造,但其中只有不到3%的手机芯片来自中国。因而,选取智能手机CPU作为高端芯片的代表,探究我国高端芯片的困境与华为的突破。本文的研究思路如下,首先是对全球芯片产业发展现状的描述,简单描述CPU制作流程和高低端处理器的差别,全球芯片产业发展历程、产业布局、产业转移以及CPU的发展历程;接着我国芯片产业发展困境与原因分析;然后从微观企业角度分析了影响芯片制造企业技术创新的影响因素:研发制度、人才团队、经费投入等方面。并通过案例分析进行验证,着重探讨华为公司的智能手机CPU——麒麟芯片在研发制度、人才团队和经费投入方面是如何突破困境,取得傲人的成绩,实现自给自足的;最后针对我国的芯片制造商在困境中如何变革提出相关建议。本文对中国芯片产业发展模式和厂商研发投入决策选择有一定启示作用,同时对其他类型制造业企业构建可持续的健康发展模式具有借鉴意义。

张卫民[7](2019)在《美国高校跨学科创业教育研究 ——基于KCI18所高校案例的分析》文中研究指明美国高等教育研究协会在2009年发布的高等教育报告中指出,大学生获得创业教育的最佳途径是接受跨学科创业教育模式。考夫曼基金会的一份研究报告也显示,鉴于创业的本质特性和广泛适用性,创业知识可以在具体课程层面和专业学科教育项目、主修或主修方向层面进行跨学科融合。开展跨学科创业教育具有天然的必然性和现实需求。中国高校自上世纪80年代开展创业教育之初,就明确了面向全体学生的全校性创业教育方向,但全校性创业教育一直处在各高校自由探索阶段,各高校重视程度、发展水平差异很大,全校性创业教育效果尚不明显。开展全校性创业教育主要采取跨学科创业教育模式。从2012年开始,国家层面先后三次(2012年8月、2015年5月和2016年6月)发文,提出通过创业教育与专业教育融合来推进创业教育普及化的政策。从国内高校创业教育实践来看,各高校推动跨学科创业教育的步伐也越来越快,但总体而言尚处于起步阶段,急需一批跨学科创业教育的制度化成果作为支撑。然而,目前学术界对跨学科创业教育的研究主要集中在创业教育嵌入某一具体专业教育方面,没有探索跨学科创业教育的应然教育模式和跨学科创业教育制度,这不利于广泛开展跨学科创业教育。本研究正是聚焦跨学科创业教育的应然教育模式、跨学科创业中心建设策略和跨学科创业教育课程开发方法,试图通过理论研究与案例分析,研究应然教育模式、跨学科创业中心建设和跨学科创业教育课程开发方法,跨学科创业师资队伍建设,以及不同类型高校跨学科创业教育实施策略,为我国跨学科创业教育实践提供理论与策略支持。本研究运用文献研究法、案例研究法和比较研究法,在系统整理跨学科创业教育相关文献的基础上,深入分析了跨学科创业教育的理论基础,总结归纳出了跨学科创业教育的基本模式、跨学科创业学术组织的共性特征,跨学科创业课程开发的基本特点、跨学科创业师资的基本特征,以及不同类型高校的跨学科创业教育特点。最后,在分析我国高校跨学科创业教育教育实践的薄弱环节之后,给出了实施建议。在理论基础方面,本研究认为创业活动更加复杂,创业者不仅要懂得怎样筹集资金、怎样注册企业、怎样管理企业、怎样推销产品和怎样依法纳税等,更要不断“生产”科学管理企业的知识和新产品开发知识,从而使企业可持续发展。这种知识的生产过程,符合“知识生产模式II”。此外,创业家或企业领导角色具有特殊性,他们在企业中必须扮演多重角色和与各种企业成员发生相互作用,因此,经理角色理论和交往实践理论对跨学科创业教育提供了理论支撑。跨学科创业教育模式方面,对18所样本高校的跨学科创业教育项目进行了分析,依据企业家“个人知识”的特点及其知识生产方式,探究了创业教育的知识生成逻辑,概括跨学科创业教育的一般规律,提出跨学科创业教育的应然教育模式、跨学科创业中心建设策略和跨学科创业教育课程开发方法。本研究认为,应然的跨学科创业教育的主要模式为:主修专业+“创业证书”或“创业辅修”项目模式、创业双学位或联合学位模式和跨学科创业学术项目模式。跨学科创业学术组织建设方面,研究发现跨学科创业中心是最主要的组织形式,其基本特征包括四个方面:跨越不同的学科知识体系;教师队伍的知识背景来源广泛;以教学和实践指导为主,科研为辅;服务对象超越跨学科中心涉及的学科范围。跨学科创业课程开发方面,具有三个共性特征:一是创业课程跨学科融合以专业知识为基础,将创业知识嵌入其中;二是跨学科创业课程开发和讲授以非商学院教师为主;三是体验式教学法是跨学科创业课程教学的主要方法之一。跨学科创业师资队伍建设方面,研究发现,跨学科师资培养主要有三种途径:一是通过学历教育培养跨学科创业师资;二是通过创业实践培养跨学科创业师资;三是通过创业培训培养跨学科创业师资。不同类型高校跨学科创业教育实践方面,基于卡内基大学基本分类法,将考夫曼校园计划资助高校分为2类:授予博士学位的综合研究型大学和授予本硕学位的教学型学院或大学。综合研究型大学跨学科创业教育实施策略包括:(1)成立协调和管理全校范围创业教育的领导机构。(2)多种跨学科创业教育模式混合使用,最大化实践效果。(3)发挥创业管理学科的引领作用,带动全校性创业教育开展。教学型学院跨学科创业教育实施策略主要有:(1)采用相对单一跨学科创业教育模式,普及创业教育。(2)依托优势学科,重点突破开展跨学科创业教育。(3)强化第二课堂,丰富创业实践活动和指导。通过探究创业教育的知识生成逻辑和对中美高校跨学科创业教育的比较研究发现,我国高校跨学科创业教育存在跨学科创业教育理念落后、跨学科创业教育模式单一、跨学科创业教育项目和课程严重缺乏和跨学科创业师资队伍建设尚未成熟等问题。由于对创业者和企业家“知识个人”生产方式,决定了创业教育的跨学科性、体验性、实践性和“意会”性,这也决定了跨学科创业教育的知识生成逻辑。同时,考夫曼校园计划参与高校的实践经验也给我国探究跨学科创业教育以启示。因此,依据创业教育的跨学科性、体验性、实践性和“意会”性,以及创业教育的知识生成逻辑,我国跨学科创业教育的教育模式、跨学科创业中心建设和跨学科创业教育课程开发等方面都有极大的发展空间。为此,本研究对我国高校跨学科创业教育提出以下实施建议:利用大学现有资源,选择合适的跨学科创业教育模式、整合大学资源,建立跨学科创业学术组织和提升各学科专业师资的创业素养,开发跨学科创业课程。

冯昭奎[8](2018)在《日本半导体产业发展的赶超与创新——兼谈对加快中国芯片技术发展的思考》文中研究表明20世纪40—50年代晶体管和集成电路先后在美国诞生,日本相继引进相关技术,并研发出晶体管收音机和集成电路计算器等大众化个人化产品,以其巨大销路推动了本国半导体产业的迅速发展。日本半导体产业迅速发展的主要原因有:通商产业省对企业引进消化美国先进技术实施了有效的政策引导和扶持,在60年代对尚处于初创阶段的集成电路产业实施严格保护;富于团队精神和工匠精神的半导体科技工作者、技能工人和企业经营者,构成了赶超美国先进技术所需各种人才的"绝佳搭配";在战前及战后的工业化基础上,迅速形成了独立的由集成电路产业、集成电路生产设备产业和集成电路材料产业组成的全产业链。进入21世纪,日本顺势而为,推动产业结构改革,开拓新兴技术领域,大力培育半导体产业发展新优势。

龚小军[9](2018)在《“中兴事件”对我国企业自主创新能力建设的启示》文中提出从"中兴事件"可以看出,在核心技术、关键零部件上缺乏自主创新能力可能是一些中国企业的致命弱点。基于日本、美国、韩国、欧洲等国家和地区在集成电路产业上的发展经验以及近年来美国对中国政策的变化,提出提高自主创新能力是很多企业的当务之急。在企业自主创新方面,摒弃国内某些经济学家的"无政府主义"观念,充分发挥政府等组织在前沿技术、产业共性技术、其他重大技术发展中作用,切实推动国内各类技术创新主体之间的协同创新,注重大型企业集团内部各单位之间的合作创新,加强技术创新中一些新的科学方法的推广、普及力度,对于提高企业自主创新能力至关重要。

陈欣[10](2018)在《创新驱动视域下福州市高新技术产业发展战略与对策研究》文中提出党的十九大报告强调创新是引领发展的第一动力,要坚定不移的实施创新驱动发展战略。而实施创新驱动发展战略在于科技创新,高新技术产业作为技术密集型产业,科技创新是推动高新技术产业实现加速发展的关键因素。因此,深入剖析创新驱动视域下高新技术产业的发展状况,对于区域经济发展具有重大的现实意义。福州市作为福建省政治、经济与文化中心,科教资源丰富,同时面临“一带一路”、自贸区等国家战略先机,具有优渥的产业发展条件;然而,福州市高新技术产业创新成果产出及转化效率较低,未能形成现代经济发展的强劲动力,产业持续创新能力亟待提升。本文依据福州市高新技术产业发展现状,分析创新驱动视域下福州市高新技术产业发展过程中出现的问题,以期实现福州市高新技术产业跨越式、高端化及协同发展。本文共分为六个部分:第一,通过综合分析创新驱动与高新技术产业的相关研究,对现存理论进行归纳评述,发现其中不足,进而提出本文的研究思路和特色之处。第二,在理论分析的基础上,从高新技术产业发展的实践角度出发,提出创新1.0至3.0、持续创新链及创新共生体驱动高新技术产业跨越式、高端化及协同发展的三大机理,为全文奠定理论基础。第三,在数据整理分析的基础上,从高新技术产业创新环境与优劣势、机遇与挑战等方面对福州高新技术产业的发展进行分析,为福州市高新技术产业的深入研究提供现实依据。第四,通过构建高新技术产业持续创新能力指标体系,运用多级优度综合评价方法对福州市高新技术产业持续创新能力进行综合评价,从横向与纵向上分析优势与不足。第五,在实地调研的基础上,探讨和分析国内外城市实施高新技术产业战略的特点,结合福州市产业现实情况,为构建福州市高新技术产业创新战略提供思路。最后,基于驱动机理与福州市高新技术产业持续创新能力的评价,构建福州市高新技术产业创新驱动战略,并针对性提出福州市高新技术产业发展对策。

二、SOI-21世纪VLSI的高端技术(论文开题报告)

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

三、SOI-21世纪VLSI的高端技术(论文提纲范文)

(1)基于体系工程思想的科技攻坚体系研究(论文提纲范文)

0 引言
1 科技攻坚体系的主要特征
2 体系工程视角下科技攻关案例研究
    2.1 设立国家攻坚实体机构协同各攻坚单元
        2.1.1 设计适配攻坚实体的组织模式形成攻坚共同体
        2.1.2 构建有效衔接现有资源的管理机制推进协同攻坚
        2.1.3 采取多技术路径并行方式开展全面攻坚
    2.2 培育龙头企业牵引攻坚体系发展
        2.2.1 政府主导持续投入资金形成规模经济
        2.2.2 打造攻坚生态,牵引产业链上下游共同发展
        2.2.3 不断完善的研发策略赢得发展主动权
    2.3 发挥人才优势实现体系能力涌现
        2.3.1 领军人才统筹决策激发体系创造力
        2.3.2 培养储备专业人才保证体系活力
3 思考建议
4 结语

(2)技术创新联盟的国际经验与中国策略(论文提纲范文)

一、从日本经验看技术创新联盟四大成功要素
    (一)法制保障:动态优化顶层法律,靶向激发组织活力
    (二)精准布局:厘定市场布局和合作攻关的突破重点
        1.确立应用市场的突破方向
        2.明确技术攻关的合作边界
    (三)通力合作:一流投入、配置、融合的“三位一体”
        1.强化关键核心角色作用
        2.解决了组合运行三大难题
    (四)协同支撑:充分调动一切资源力量服务核心目标
    (五)实践成效:技术组合产生了卓着创新成果和经验溢出效应
        1.卓着创新成果
        2.经验溢出效应
二、我国产业技术创新战略联盟发展面临的现实困境
    (一)对四大成功要素缺乏精准把握与系统实践
        1.战略联盟技术攻关的法制保障有待完善
        2.战略联盟技术攻关的精准布局不足
        3.战略联盟技术攻关的通力合作有欠,始终面临契约型合作模式松散、内部竞争博弈思维和外部商业文化氛围所共同造成的组织分力
        4.战略联盟技术攻关的协同支撑不强,网络化创新环境与战略联盟之间的紧密互动关系需要进一步落地和强化
    (二)更好发挥政府作用面临开放新规则约束
    (三)面向未来、更可持续的制度建设亟待前瞻部署
三、推进技术创新联盟高质量发展的政策思路
    (一)近期:打造一批先导性试点战略联盟
        1.强化顶层设计,提升法制保障战略层级
        2.强化精准布局,推动技术路线动态优化
        3.强化通力合作,全面改进组织文化体系
        4.强化协同支撑,加速完善创新环境条件
        5.强化施策创新,更好发挥政府作用
    (二)中远期:注重制度文化引领,推动联盟行稳致远
        1.建立更有生命力的组织战略和市场机制
        2.加强反垄断预研和预案建设
        3.延伸创造新的社会融资可能性
        4.打造新时期“商业文化风向标”

(3)战后科技革命推动日本产业升级研究 ——基于创新体系的视角(论文提纲范文)

答辩决议书
摘要
abstract
第1章 绪论
    1.1 选题背景及研究意义
        1.1.1 选题背景
        1.1.2 研究意义
    1.2 文献综述
        1.2.1 国内研究现状
        1.2.2 国外研究现状
        1.2.3 国内外研究述评
    1.3 研究框架与研究方法
        1.3.1 研究框架
        1.3.2 研究方法
    1.4 研究中的创新与不足
第2章 科技革命推动产业升级的一般分析
    2.1 科技革命的概念与研究范围界定
        2.1.1 科技革命的概念
        2.1.2 战后科技革命研究范围的界定
    2.2 科技革命推动下产业升级的内涵及研究范围界定
        2.2.1 科技革命推动下产业升级的内涵
        2.2.2 科技革命推动产业升级的研究范围界定
    2.3 科技革命推动产业升级的理论基础
        2.3.1 熊彼特创新理论
        2.3.2 技术经济范式理论
        2.3.3 产业技术范式理论
    2.4 本章小结
第3章 科技革命推动产业升级:基于创新体系视角的分析框架
    3.1 科技革命推动产业升级的机理
        3.1.1 科技革命推动产业升级的经济本质:技术经济范式转换
        3.1.2 科技革命推动产业升级的传导机制:“催新”与“改旧”
    3.2 创新体系相关理论
        3.2.1 国家创新体系理论
        3.2.2 部门创新体系理论
    3.3 以创新体系为切入点的分析视角
        3.3.1 国家创新体系与技术经济范式匹配性分析视角
        3.3.2 部门创新体系与产业技术范式匹配性分析视角
    3.4 本章小结
第4章 战后科技革命推动日本产业升级的历程与背景
    4.1 科技革命推动日本产业升级的历程
        4.1.1 战前科技革命成果推动下日本产业的“重化型”化(20世纪50-60年代)
        4.1.2 战后科技革命推动下日本产业的“轻薄短小”化(20世纪70-80年代)
        4.1.3 战后科技革命推动下日本产业的“信息”化(20世纪90年代后)
    4.2 战后科技革命推动日本产业升级的背景
        4.2.1 重化型产业结构的局限性日渐凸显
        4.2.2 世界性科技革命的爆发为日本提供了机遇
        4.2.3 日本经济的高速增长奠定了经济基础
        4.2.4 日本的“引进消化吸收再创新”战略奠定了技术基础
    4.3 本章小结
第5章 战后科技革命推动日本产业升级:基于国家创新体系的分析
    5.1 技术经济范式转换的载体:日本国家创新体系
    5.2 科技革命推动日本产业升级中政府支持创新的行为
        5.2.1 传递最新科技情报并辅助企业引进技术
        5.2.2 适时调整科技发展战略和产业结构发展方向
        5.2.3 制定激励企业研发的经济政策和专利保护制度
        5.2.4 采取措施加速新技术产业化的进程
        5.2.5 改革教育体制并强化人才引进制度
    5.3 科技革命推动日本产业升级中企业的创新行为
        5.3.1 注重提升自主创新能力
        5.3.2 遵循技术创新的“现场优先主义”原则
        5.3.3 实行考虑市场因素的“商品研制、推销一贯制”
        5.3.4 将资金集中投向开发研究和创新链的中下游环节
        5.3.5 重视对在职人员的科技教育和技术培训
    5.4 科技革命推动日本产业升级中大学和科研机构的创新行为
        5.4.1 从事与产业技术密切相关的基础和应用研究
        5.4.2 重视通识教育和“强固山脚”教育
        5.4.3 培养了大量的理工类高科技人才
    5.5 科技革命推动日本产业升级中的创新主体联盟
        5.5.1 产学官联合攻关尖端技术
        5.5.2 建立能够促进科技成果转化的中介机构
        5.5.3 联合培养和引进优秀人才
    5.6 日本国家创新体系与技术经济范式的匹配性评析
        5.6.1 日本国家创新体系与微电子技术经济范式相匹配
        5.6.2 “追赶型”国家创新体系与“应用开发型”技术经济范式相匹配
    5.7 本章小结
第6章 战后科技革命催生日本主要新兴产业:基于部门创新体系的分析
    6.1 新兴产业技术范式的形成与日本部门创新体系
    6.2 微电子技术催生下日本半导体产业的兴起和发展
        6.2.1 微电子技术产业化中政府支持创新的行为
        6.2.2 微电子技术产业化中企业的创新行为
        6.2.3 微电子技术产业化中科研机构的创新行为
        6.2.4 微电子技术产业化中的创新主体联盟
        6.2.5 微电子技术产业化中的需求因素
    6.3 计算机技术催生下日本计算机产业的兴起与发展
        6.3.1 计算机技术产业化中政府支持创新的行为
        6.3.2 计算机技术产业化中企业的创新行为
        6.3.3 计算机技术产业化中的创新主体联盟
        6.3.4 计算机技术产业化中的需求因素
    6.4 日本部门创新体系与新兴产业技术范式形成的匹配性评析
        6.4.1 部门创新体系与半导体产业技术范式形成相匹配
        6.4.2 部门创新体系与计算机产业技术范式形成相匹配
        6.4.3 部门创新体系与新兴产业技术范式形成相匹配
    6.5 本章小结
第7章 战后科技革命改造日本主要传统产业:基于部门创新体系的分析
    7.1 科技革命改造传统产业的本质:传统产业技术范式变革
    7.2 微电子技术改造下日本工业机器自动化的发展
        7.2.1 工业机器自动化中政府支持创新的行为
        7.2.2 工业机器自动化中企业的创新行为
        7.2.3 工业机器自动化中的创新主体联盟
        7.2.4 工业机器自动化中的需求因素
    7.3 微电子技术改造下日本汽车电子化的发展
        7.3.1 汽车电子化中政府支持创新的行为
        7.3.2 汽车电子化中企业的创新行为
        7.3.3 汽车电子化中的创新主体联盟
        7.3.4 汽车电子化中的需求因素
    7.4 日本部门创新体系与传统产业技术范式变革的匹配性评析
        7.4.1 部门创新体系与工业机器产业技术范式变革相匹配
        7.4.2 部门创新体系与汽车产业技术范式变革相匹配
        7.4.3 部门创新体系与传统产业技术范式变革相匹配
    7.5 本章小结
第8章 创新体系视角下战后科技革命推动日本产业升级的经验与教训
    8.1 战后科技革命推动日本产业升级的经验
        8.1.1 构建了与微电子技术经济范式相匹配的国家创新体系
        8.1.2 重视创新体系的层级性和差异性建设
        8.1.3 加速推进新兴产业技术范式的形成
        8.1.4 借力科技革命的“双重性质”推动新旧产业协调发展
    8.2 战后科技革命推动日本产业升级的教训
        8.2.1 创新体系的基础研究能力不足
        8.2.2 创新体系不利于颠覆性技术创新的产生
        8.2.3 政府主导下的大型研发项目模式存在定向失误的弊端
    8.3 本章小结
第9章 创新体系视角下战后科技革命推动日本产业升级对我国的启示
    9.1 新一轮科技革命给我国产业升级带来的机遇
        9.1.1 为我国产业升级提供“机会窗口”
        9.1.2 为我国新兴产业“追跑”“齐跑”与“领跑”的并行发展提供机遇
        9.1.3 为我国传统制造业的高质量发展创造了机会
    9.2 构建与新一轮科技革命推动产业升级相匹配的创新体系
        9.2.1 构建国家创新生态体系
        9.2.2 重视部门创新体系的“产业间差异性”
        9.2.3 形成与新兴产业技术范式相匹配的部门创新体系
        9.2.4 建设能够促进传统产业技术范式演化升级的部门创新体系
    9.3 本章小结
结论
参考文献
攻读博士学位期间的科研成果
致谢

(4)日美半导体磋商对中美贸易摩擦下中国集成电路产业的启示(论文提纲范文)

1 引言及相关研究回顾
2 日美磋商前后不同时期的日本半导体产业
    2.1 20世纪70年代之前的快速跟进
    2.2 VLSI计划与日本半导体产业的赶超
    2.3 日美磋商对日本半导体产业的冲击
    2.4 21世纪后日本半导体产业的转型重振
        第一,不再固守已不具备竞争优势的DRAM芯片。
        第二,将产品重心转向技术含量更高的系统级芯片
        第三,围绕系统级芯片
3 日本半导体兴衰内因及两次摩擦对比
    3.1 日本半导体产业兴衰转换的内在原因
    3.2 中美摩擦同日美摩擦及磋商对比分析
4 日本半导体兴衰启示及政策建议

(5)硅通孔微波耦合特性及三维集成微波无源滤波器研究(论文提纲范文)

摘要
ABSTRACT
符号对照表
缩略语对照表
第一章 绪论
    1.1 三维集成技术研究背景
    1.2 基于TSV的三维集成电路发展现状
    1.3 基于TSV的三维集成电路发展趋势
    1.4 TSV技术研究热点与挑战
    1.5 论文研究内容与结构安排
第二章 三维集成关键工艺技术
    2.1 3D IC工艺顺序
    2.2 TSV加工关键技术
        2.2.1 通孔刻蚀
        2.2.2 TSV介质层
        2.2.3 TSV阻挡层和种子层
        2.2.4 TSV金属填充
    2.3 晶圆减薄
    2.4 晶片对准和键合
    2.5 TGV技术
    2.6 本章小结
第三章 TSV屏蔽簇耦合特性研究
    3.1 多地环绕TSV簇结构
    3.2 多地环绕TSV簇等效电路模型
        3.2.1 等效回路电感提取
        3.2.2 衬底耦合参数提取
        3.2.3 TSV内部阻抗参数与线性电容参数提取
        3.2.4 TSV簇的π型等效电路网络
    3.3 模型验证与频域分析
        3.3.1 等效电路模型的验证
        3.3.2 接地TSV排布对插入损耗影响
    3.4 六边形接地TSV簇
        3.4.1 六边形屏蔽机制
        3.4.2 寄生参数与插入损耗
        3.4.3 尺寸优势
    3.5 实验加工与测试
        3.5.1 多地环绕TSV簇测试结构制造
        3.5.2 屏蔽簇测试结果提取
        3.5.3 TSV屏蔽簇防串扰验证
    3.6 本章小结
第四章 高密度差分TSV等效电路模型研究
    4.1 多地环绕的差分TSV结构
    4.2 多地环绕差分TSV等效电路模型
        4.2.1 单端TSV等效电参数提取
        4.2.2 差分TSV等效电路模型
        4.2.3 差分TSV特性阻抗与电参数提取
        4.2.4 差分TSV的混模S参数
    4.3 模型验证与分析
    4.4 Polymer介质腔差分TSV
        4.4.1 Polymer腔体TSV结构
        4.4.2 耦合参数与等效电路模型
        4.4.3 单端与差分Polymer腔体TSV频域特性
    4.5 本章小结
第五章 基于TSV的紧凑三维螺旋电感器
    5.1 基于TSV的紧凑三维螺旋电感器结构
        5.1.1 传统单层3D TSV螺旋电感器结构
        5.1.2 基于TSV的嵌套式3D螺旋电感器
    5.2 基于TSV的三维互联结构的电感解析模型
        5.2.1 三维互连的部分电感与总电感
        5.2.2 部分电感与总电感解析模型
        5.2.3 三维互连结构电感模型优化与分析
    5.3 嵌套式3D TSV螺旋电感器解析模型
        5.3.1 竖直TSV的电感解析
        5.3.2 水平分布RDL的电感解析
        5.3.3 3D TSV电感器回路总电感
        5.3.4 模型验证与分析
    5.4 基于TSV的紧凑三维螺旋电感器Q因子研究
        5.4.1 Q因子提取与分析
        5.4.2 衬底厚度对电感器Q因子影响
    5.5 本章小结
第六章 基于TGV的三维集成微波无源滤波器
    6.1 基于TGV的低通滤波器
        6.1.1 LC低通滤波器设计原理
        6.1.2 基于TGV的三维螺旋电感器
        6.1.3 基于TGV的三维叉指电容器
        6.1.4 三维LC滤波器设计与滤波响应
        6.1.5 尺寸优势
    6.2 基于TGV的毫米波带通滤波器
        6.2.1 SIW带通滤波器综合
        6.2.2 滤波器设计与讨论
    6.3 本章小结
第七章 总结与展望
    7.1 研究总结
    7.2 研究展望
参考文献
致谢
作者简介

(6)我国高端芯片困境的成因与突破 ——华为经验(论文提纲范文)

摘要
abstract
第1章 绪论
    1.1 研究背景
    1.2 研究目的和意义
        1.2.1 研究目的
        1.2.2 研究意义
    1.3 研究思路和内容
    1.4 研究方法
    1.5 可能的创新和不足
第2章 国内外相关文献综述
    2.1 高端芯片相关研究综述
        2.1.1 高端芯片困境
        2.1.2 高端芯片困境的原因
    2.2 研发投入相关研究综述
    2.3 有关华为的研究综述
    2.4 对现有研究结果的评价
第3章 全球芯片制造行业现状
    3.1 芯片制造简述
        3.1.1 CPU制造流程
        3.1.2 高低端处理器区别
    3.2 全球芯片行业现状
        3.2.1 全球芯片发展历程
        3.2.2 全球芯片市场布局
        3.2.3 芯片产业的三次产业转移
        3.2.4 CPU发展历程
第4章 我国芯片行业发展困境与原因分析
    4.1 我国芯片行业发展困境
        4.1.1 产业分布不均衡
        4.1.2 芯片自给能力低
        4.1.3 市场集中度低
    4.2 困境的成因
        4.2.1 严峻的国际环境
        4.2.2 政府支持有限
        4.2.3 行业特征限制
        4.2.4 企业因素
第5章 影响因素分析和研究假设
    5.1 影响因素选取
    5.2 影响因素分析
        5.2.1 研发制度
        5.2.2 人才团队
        5.2.3 经费投入
    5.3 研究假设
第6章 高端芯片的突破——以华为为例
    6.1 案例简介
    6.2 案例分析
        6.2.1 研发制度
        6.2.2 人才团队
        6.2.3 经费投入
第7章 结论与建议
    7.1 结论
    7.2 相关建议
        7.2.1 研发制度决策
        7.2.2 人才团队
        7.2.3 经费投入
参考文献
后记
致谢
在读期间科研成果目录

(7)美国高校跨学科创业教育研究 ——基于KCI18所高校案例的分析(论文提纲范文)

中文摘要
abstract
引言
    一、研究背景、目的及价值
        (一)研究背景
        (二)研究目的
        (三)研究价值
    二、核心概念界定
        (一)跨学科
        (二)跨学科教育
        (三)创业教育
        (四)跨学科创业教育
    三、文献综述
        (一)跨学科创业教育研究
        (二)创业教育与专业教育融合一般理论研究
        (三)创业教育嵌入某一具体专业教育研究
        (四)对现有研究成果的述评
    四、研究思路与方法
        (一)研究思路
        (二)研究方法
    五、研究界定
        (一)本研究中的创业教育“跨学科”界定为跨出商科之外
        (二)本研究中的跨学科创业教育限定在创业学术教育领域
    六、创新之处
        (一)探究跨学科创业教育的理论基础
        (二)概括跨学科创业教育的主要模式
第一章 作为知识生产者的创业者
    一、成功企业家的知识生产
        (一)知识和知识生产模式
        (二)“知识生产模式II”
        (三)成功的企业家的知识生产模式
    二、成功的企业家的交往
        (一)企业家的角色
        (二)企业家的交往
    三、跨学科创业教育的必要性
第二章 考夫曼校园计划(KCI)
    一、考夫曼基金会概况
    二、考夫曼校园计划
        (一)背景与理念
        (二)资助与管理
        (三)活动与影响
    三、考夫曼校园计划高校创业教育开展情况
        (一)罗切斯特大学的创业学术项目
        (二)维克森林大学的本科创业教育
        (三)霍华德大学的本科创业辅修和证书项目
        (四)佛罗里达国际大学的创业辅修与创业主修项目
        (五)德克萨斯大学埃尔-帕索分校创业教育的聚焦模式
        (六)华盛顿大学路易斯分校创业教育的混合模式
        (七)伊利偌伊大学-香槟分校创业教育的辐射模式
        (八)北卡罗来纳大学教堂山分校创业教育的磁石模式
        (九)亚利桑那州立大学创业教育的辐射模式
        (十)普渡大学的创业教育平台
        (十一)雪城大学创业教育的聚焦模式
        (十二)威斯康辛大学-麦迪逊分校创业教育的磁石模式
        (十三)马里兰大学-巴尔的摩县分校的学科方向创业教育
        (十四)鲍德温华莱士大学创业教育的聚焦模式
        (十五)伍斯特学院的创业指导
        (十六)希拉姆学院的“创业住宿学习社区”
        (十七)伊利湖学院创业教育的聚焦模式
        (十八)欧柏林学院的第二课堂创业教育
第三章 跨学科创业教育的应然模式
    一、主修专业+“创业证书”或“创业辅修”项目模式
        (一)主修专业+“创业证书”或“创业辅修”项目模式的内涵
        (二)KCI高校主修专业+“创业证书”或“创业辅修”项目模式的实践
    二、创业双学位或联合学位模式
        (一)创业双学位或联合学位模式的内涵
        (二)KCI高校创业双学位和联合学位模式的实践
    三、跨学科创业学术项目模式
        (一)跨学科创业学术项目模式的内涵
        (二)KCI高校跨学科创业学术项目模式的实践
第四章 跨学科创业学术组织:跨学科创业中心
    一、跨学科创业中心:一种跨学科学术组织
    二、跨学科创业中心基本特征
    三、KCI校园计划高校跨学科创业中心建设情况
    四、案例:罗切斯特大学全校性跨学科创业中心
        (一)中心概况
        (二)跨学科的组织架构
        (三)跨学科的创业教师队伍
        (四)跨学科的创业学术项目
第五章 跨学科创业课程开发
    一、跨学科创业课程、创业课程和商科课程的关系
        (一)创业课程和商科课程的关系
        (二)跨学科创业课程与创业课程的关系
    二、跨学科创业课程的基本特征
    三、跨学科创业课程开发策略
        (一)跨学科创业课程开发的基本路径
        (二)跨学科创业课程开发步骤
    四、案例:德克萨斯州立大学奥斯汀分校的“艺术创业课程”开发
        (一)艺术创业课程规划
        (二)艺术创业课程标准研制
        (三)艺术创业教材编写与实施
第六章 :跨学科创业师资队伍建设
    一、跨学科创业师资的现实需求
        (一)美国高校跨学科创业教育的兴起
        (二)跨学科创业学术项目和课程数量不断增加
        (三)学生综合能力的培养对跨学科创业教师的需要
    二、跨学科创业教师的胜任力
        (一)专业教师的胜任力
        (二)创业学学科教师的胜任力
        (三)跨学科创业教师的胜任力
    三、美国高校跨学科创业师资队伍建设的现实审视
    四、美国高校跨学科创业师资队伍建设路径
        (一)通过学历教育培养跨学科创业师资
        (二)通过创业实践培养跨学科创业师资
        (三)通过创业培训培养跨学科创业师资
第七章 :不同类型高校跨学科创业教育实施策略
    一、卡内基高等学校分类方法及KCI高校分类
        (一)卡内基基金会的教育使命
        (二)卡内基高等学校分类法
        (三)2018版卡内基基本分类法
        (四)基于卡内基基本分类法的KCI高校分类
    二、跨学科创业教育视角下不同类型高校办学特点
        (一)综合研究型大学的办学特点
        (二)教学型学院的办学特点
    三、不同类型高校跨学科创业教育实施策略
        (一)综合研究型大学跨学科创业教育实施策略
        (二)教学型学院跨学科创业教育实施策略
第八章 美国高校跨学科创业教育对我国的启示
    一、我国高校创业教育发展的历程
        (一)第二课堂为主的起步阶段(1997—2001)
        (二)创业学科化倾向的建设阶段(2002—2011)
        (三)跨学科创业教育发展阶段(2012—至今)
    二、我国高校创业教育实践现状
        (一)创业教育社会氛围逐渐浓厚
        (二)所有大学生必须接受创业教育
        (三)创业教育需融入大学人才培养体系
        (四)创业教育仍然以第二课堂为主
    三、我国高校跨学科创业教育存在问题
        (一)跨学科创业教育理念落后
        (二)跨学科创业教育模式单一
        (三)跨学科创业教育项目和课程严重缺乏
        (四)跨学科创业师资队伍建设尚未成熟
    四、我国高校跨学科创业教育实施建议
        (一)利用大学现有资源,选择合适的跨学科创业教育模式
        (二)整合大学资源,建立跨学科创业学术组织
        (三)提升各学科专业师资的创业素养,开发跨学科创业课程
结语
参考文献
附录
    附录一 :KCI高校创业双学位或联合学位项目运作与课程体系
    附录二 :KCI高校跨学科创业学术项目运作与课程体系
    附录三 :罗切斯特大学和伊利偌伊大学创业师资学术背景和创业情况一览表
攻读学位期间的主要科研成果
后记

(8)日本半导体产业发展的赶超与创新——兼谈对加快中国芯片技术发展的思考(论文提纲范文)

一、引进美国晶体管技术, 开发半导体收音机等民用产品, 促进晶体管工业的发展
二、以电子计算器等民用电子产品打开集成电路的广阔市场
    (一) 日美IC竞争激化
    (二) 日本开发个人计算机等民生产品
三、启动“超大规模集成电路技术研究组合”, 实现成功跳跃
四、战后日本半导体产业持续赶超美国的影响因素
    (一) 国家扶持
    (二) 人的因素
    (三) 构筑完整的半导体产业链
    (四) 善于运用市场竞争的推动力
五、日本半导体产业面对新形势的创新与发展
    (一) 日本半导体产业推行结构性改革的代表性案例
    (二) 日本半导体产业的新技术优势
        1.用于自动驾驶系统和自动驾驶汽车的芯片
        2.物联网相关芯片
        3.机器人芯片
        4.半导体材料技术
六、结 语

(9)“中兴事件”对我国企业自主创新能力建设的启示(论文提纲范文)

1“中兴事件”概况
2 世界主要国家或地区在集成电路领域的发展经验
3 对提高我国企业自主创新能力的启示
    3.1 加强企业自主创新能力建设刻不容缓
    3.2 应充分认识无政府主义主张的危害性
    3.3 切实加强国内各类技术创新主体之间的协同创新
    3.4 注重大型企业集团内部各单位间的合作创新
    3.5 加强技术创新科学方法的推广和普及
4 结束语

(10)创新驱动视域下福州市高新技术产业发展战略与对策研究(论文提纲范文)

摘要
Abstract
第一章 绪论
    1.1 研究背景与意义
        1.1.1 研究背景
        1.1.2 研究目的与意义
    1.2 国内外研究动态综述
        1.2.1 国外研究现状
        1.2.2 国内研究现状
        1.2.3 文献评述
    1.3 研究内容及研究方法
        1.3.1 研究内容与研究特色
        1.3.2 研究方法与技术路线
第二章 相关理论探析
    2.1 基于创新1.0至3.0驱动高新技术产业跨越式发展的机理研究
        2.1.1 驱动力形成机理
        2.1.2 跨越式发展机理
        2.1.3 路径探析
    2.2 基于持续创新链驱动高新技术产业高端化发展的机理研究
        2.2.1 持续创新链的构成
        2.2.2 高端化发展机理
        2.2.3 路径探析
    2.3 基于创新共生体驱动高新技术产业协同发展的机理研究
        2.3.1 驱动力形成机理
        2.3.2 协同发展机理
        2.3.3 路径探析
    2.4 本章小结
第三章 福州市高新技术产业现状及创新环境分析
    3.1 福州市高新技术产业发展概况
        3.1.1 创新投入与产出现状
        3.1.2 创新平台建设现状
        3.1.3 产业集群发展现状
    3.2 福州市高新技术产业的PEST分析
        3.2.1 政治环境
        3.2.2 经济环境
        3.2.3 社会环境
        3.2.4 技术环境
    3.3 福州市高新技术产业的SWOT分析
        3.3.1 优势要素
        3.3.2 劣势要素
        3.3.3 关键机遇
        3.3.4 主要挑战
    3.4 福州市高新技术产业的SWOT-PEST矩阵分析
    3.5 本章小结
第四章 福州市高新技术产业持续创新能力评价
    4.1 高新技术产业持续创新能力评价指标体系构建
        4.1.1 指标体系构建的基本原则
        4.1.2 评价指标体系的构建
    4.2 福州市高新技术产业持续创新能力综合评价方法
        4.2.1 可拓多级优度评价方法的基本介绍
        4.2.2 指标体系权重的确定
    4.3 福州市高新技术产业持续创新能力综合评价及分析
        4.3.1 纵向指标权重的确定
        4.3.2 纵向评价及分析
        4.3.3 横向指标权重的确定
        4.3.4 横向评价及分析
    4.4 本章小结
第五章 国内外高新技术产业创新战略及启示
    5.1 国内典型城市高新技术产业创新战略及启示
        5.1.1 发展概况
        5.1.2 创新战略
        5.1.3 创新战略的启示
    5.2 国外典型城市高新技术产业创新战略及启示
        5.2.1 发展概况
        5.2.2 创新战略
        5.2.3 创新战略的启示
    5.3 本章小结
第六章 创新驱动视域下福州市高新技术产业发展的战略及对策研究
    6.1 福州市高新技术产业创新驱动战略
        6.1.1 创新驱动战略构建思路
        6.1.2 战略目标
        6.1.3 战略实践内容
        6.1.4 战略参与主体
        6.1.5 产业战略联盟与重大创新专项
        6.1.6 战略区域合作
    6.2 创新驱动视域下福州市高新技术产业发展的对策建议
        6.2.1 顺应创新范式转变,促进高新技术产业跨越式发展
        6.2.2 深化区域对接机制,推进高新技术产业高端化发展
        6.2.3 构筑区域共生网络,促使高新技术产业协同发展
        6.2.4 加大创新资源投入,强化产业创新支撑
        6.2.5 营造创新文化氛围,打造福州特色产业
结论
参考文献
致谢
个人简历
在校期间发表的学术论文及研究成果

四、SOI-21世纪VLSI的高端技术(论文参考文献)

  • [1]基于体系工程思想的科技攻坚体系研究[J]. 刘轶男,李欣欣,吴思诗,杨巍. 中国电子科学研究院学报, 2021(09)
  • [2]技术创新联盟的国际经验与中国策略[J]. 彭坚. 开放导报, 2021(04)
  • [3]战后科技革命推动日本产业升级研究 ——基于创新体系的视角[D]. 刘伟岩. 吉林大学, 2020(03)
  • [4]日美半导体磋商对中美贸易摩擦下中国集成电路产业的启示[J]. 马文君,蔡跃洲. 中国科技论坛, 2020(10)
  • [5]硅通孔微波耦合特性及三维集成微波无源滤波器研究[D]. 曲晨冰. 西安电子科技大学, 2019(07)
  • [6]我国高端芯片困境的成因与突破 ——华为经验[D]. 徐彩云. 西南财经大学, 2019(07)
  • [7]美国高校跨学科创业教育研究 ——基于KCI18所高校案例的分析[D]. 张卫民. 苏州大学, 2019(06)
  • [8]日本半导体产业发展的赶超与创新——兼谈对加快中国芯片技术发展的思考[J]. 冯昭奎. 日本学刊, 2018(06)
  • [9]“中兴事件”对我国企业自主创新能力建设的启示[J]. 龚小军. 石油科技论坛, 2018(04)
  • [10]创新驱动视域下福州市高新技术产业发展战略与对策研究[D]. 陈欣. 福州大学, 2018(03)

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SOI——21世纪超大规模集成电路的高端技术
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